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1700440742 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品主要由底座、压盖、上压盖、螺栓、平垫及弹垫等组成。压盖采用键孔结构,键孔下端采用凹槽结构,底座采用螺纹结构,上压盖采用与压盖同弧度设计,保证产品的握力及线缆导电率;产品具有压线牢固、安装维护方便、使用寿命长等特点,技术处国内先进水平。
1700440744 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品通过优化穿刺金属刀片与力矩螺母组合结构、塑壳盖与绝缘上盖卡扣连接结构、新型壳体等,并采用新型密封垫材料。产品具有耐压强度高、安全性能好、使用寿命长、操作使用方便等特点,已获实用新型专利1项,申请发明专利1项,技术处国内同类产品领先水平。
1700440745 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品主要由底座、上盖、刀片、内皮、力矩螺母及垫片等组成,通过优化绝缘弹性垫套结构和安装夹持工具,塑壳采用尼龙6T材料,胶衬采用硅橡胶材料,有效提升了绝缘穿刺线夹的绝缘性能、密封性能及压点的准确度;产品具有电气绝缘性好、使用寿命长、安装维护方便等优点,已获实用新型专利2项,技术处国内同类产品领先水平。
1700440811 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品在铝合金铸造过程中添加微量的Mn、Be、稀土La和Er等元素,提高构件的强度和弹性;线夹主体内的两个活动架设计为可转动连接结构,安装方便。产品具有安全可靠、使用寿命长等特点,取得实用新型专利1项,技术处国内先进水平。
1700440817 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品通过将其第一凹槽和第二凹槽在底座上配合形成限位腔,并在凹槽内壁上设有咬合齿夹线结构,咬合齿上下对称,形成多个弧线型接触面。产品具有接触电阻小、安装牢固、使用寿命长等特点,取得实用新型专利1项,技术处国内领先水平。
1700460084 福建
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:在包装行业,电子包装材料的用途十分广泛,在国防工业和国民经济发展,特别是半导体和LED的发展中占用举足轻重的地位。中国在电子包装材料的研究缺乏国家层面的引导,长期以来欠缺对该产业技术的系统性研究和开发。造成国内在电子包装材料从原料、技术上都依赖于国外(如3M公司)的局面,严重制约中国在电子包装材料的发展。该项目主要对模具设计及成型工艺进行研究,开发出一种含有成型片和2片隔片的圆形模具,然后对载带片材形成中的各个工艺进行改造,以提供一种特效孔、精密IC电子载带。项目产品可以大幅提升生产效率,提升载带封合效果,大幅降低生产材料成本,实现高效节能。满足市场对于相关载带产品的需求,代替部分进口产品,并推动中国电子元器件小型化的发展在载带成型成过程中,采用自主开发的成型系统,将粒子原料放入塑料片材的挤出机中的进料桶,打开控制箱并根据不同粒子原理设置温控器的温度,粒子原理从进料桶的输出端进入到挤出螺杆内熔化,并从出料模挤出均衡一致的塑料片材,塑料片材通过导轮进入成型机的成型模具,成型后项目产品通过导论进入冲孔机的冲模机构导正装置,经导正装置导正过后通过导论进入收料机的各分支导轮,最后通过收料盘卷成几卷。完成项目产品生产工艺。与此同时项目产品在特定情况下技术指标达到拉力最小值35.8g、最大值62.1g、拉力范围26.3g(标准限度值:拉力最小值30g、最大值90g、拉力范围60g)。项目产品已经在广州创天电子科技有限公司、福建福顺半导体制造有限公司以及其他客户公司的产品上使用,获得客户的好评。并且公司运用循环经济理念对生产过程中裁剪下的PC废料进行回收、直接粉碎、直接投入再利用,资源利用率高,在很大程度上节约成本,高效节能,市场前景乐观。
1700470151 北京
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:高质量超导薄膜制备的微波滤波器与普通金属滤波器相比,具有带内插损小、带边陡峭度高、带外抑制度高等优势。国内超导滤波器多采用进口薄膜,而国产大面积超导薄膜还存在一致性和均匀性不足等问题,其性价比也不具备优势。因此,寻找低成本高质量的大面积超导薄膜制备技术对高温超导膜的大规模应用开发和打破垄断具有重要的意义。 在科技部863项目、国家自然基金、航空基金、航天科技创新基金、科技部中小企业创新基金等支持下,在超导膜低成本大面积制备方面取得突破性进展,包括: 针对前驱液配方和工艺问题,提出了利用红外光谱对前驱液提纯过程进行控制,保证了前驱液的质量;针对超导膜热解处理时间长达十几个小时的问题,提出了向前驱母液中加入二乙醇胺等高沸点溶剂,有效的将前驱膜的热解时间降低为几十秒;针对超导膜易于潮解的问题,提出将Gd与Dy元素掺杂部分替代Y阳离子,有效解决了超导膜潮解的问题,提高了超导膜的性能。 针对化学溶液法制备的超导膜内部存在孔洞及缺陷这一普遍性世界难题,发明了离子束表面改性方法,有效消除超导膜的内部缺陷,提高了超导膜性能。为使制备的超导膜适用于多种技术衬底,提出采用离子束辅助沉积方法制备高质量的缓冲层,再采用化学溶液方法制备超导薄膜,保护层和电极则采用磁控溅射方法制备。有效兼顾了性价比,全套工艺路线属自主创新。 发明了气氛可控的新型批处理CVD设备。相关技术和产品美国严格禁运,因此独立设计制作了一套气氛可控热处理CVD系统,尤其对烧制薄膜的基片夹具进行设计,突破了大面积超导膜批量化制备的难题,单炉年产2英寸膜五千片以上。 针对超导膜测试的难题,发明了基于制冷机的系列自主超导膜性能检测设备,解决了传统测量设备严重依赖液氦进行40K-300K温区测量的问题,极大地节约了成本。 授权国家发明专利39项,发表论文60篇,著作1部。 制备的大面积高温超导膜成功应用于超导滤波器的制备,插入损耗最好达到了0.2dB,达到国际先进水平。在国际上首次实现低成本超导膜在超导滤波器制备上的应用。支撑了超导滤波器系统在第三代或第四代移动通信及无线系统的应用。联合北京鼎臣超导科技有限公司通过对批量化制备技术的集中攻关,切实降低了批量制备成本。超导膜产品应用到中科院物理所、清华大学、北京卫星环境工程研究院、南方电网高压所等多家单位,取得了重大的社会与经济效益。
1700450697 广西
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目是2012年广西科技厅下达的科学研究与开发计划,合同编号为桂科转1298009-21。项目针对现有电地暖系统的发热体存在的成本高、升温慢、局部过热等难题,加速自有专利技术的成果转化,通过新型高性能耐温、耐环境性、绝缘和防护层塑料材质的应用,研制出低成本、易加工的新型自控温复合物发热体材料,解决超薄扁平发热电缆生产过程的原料偏芯、分层、局部过热的关键技术,实现超薄扁平发热电缆的批量化的生产。电地暖状况基本是停留于照搬国外样本或资料模式。该公司在扁平发热电缆上拥有完全的自主知识产权,通过产学研的合作,突破扁平发热电缆的生产工艺,开发出性能更高,更先进的扁平型复合物发热电缆,将有助于打破国外在发热材料上的垄断地位,使中国的电地暖技术进入国际的前沿行列。该技术的突破,也将奠定广西在电地暖行业上的领先地位。项目已经完成两个方面的研究成果,一是基于半导体耐高温、防腐蚀、防火阻燃和防水的复合发热体材料;二是超薄扁平的发热电缆规模化生产的关键工艺。生产能力可达年产1500万元,销售利润232万元,销售税金及附加84万元。发热电缆是一种高效节能的产品,经济、安全、环保、方便,应用范围广。市场上普遍销售的发热电缆均为圆型发热电缆,而群星公司研制的扁型发热电缆,相比圆型发热电缆,扁平发热电缆的优势在同等的功率和同等的使用面积下更具有“发热面积大、结构薄、重量轻、节电费”的特点。真正符合国家“节能减排,低碳环保”的生产生活要求。电地暖系统的使用具有重大的经济效益,发热电缆通电后,导体工作温度控制在40度--70度,通过地面(10度---35度)作为散热面,以辐射的方式向地面以上传递,使其表面温度升高,达到提高及保持室温的目的。室内温度均匀,各处温度可按需调节,各个房间可自由、单独控制,节约能源;无噪音,无污染;智能运行,耗能低,热辐射供暖,效率高;不占用室内、室外任何空间。系统可靠性、安全性高,不易损坏,无需维护使用寿命50年以上,一次安装,终身使用,免维护,免维修,没有裸露的散热管网和暖气片,节省空间,相对增大面积3%--5%,室内仅见漂亮的温控器,清洁、卫生、不干燥,犹如阳光般的温暖。该成果可广泛应用于住宅、独立住宅、公寓大厦、办公楼等;公共建筑:学校、图书馆、医院、银行、会馆、餐厅等;体育娱乐设施:足球场、体育馆、网球馆、游泳馆;产业设施:工厂车间、厂房、浴池、设施保温等;其他:温室、植物园、交通设施、机场等。该成果产品已经获得国家发明专利2项、实用新型专利2项。广西群星电缆有限公司由此获得广西科学发明技术三等奖、贵港市科学发明技术一等奖。
1700240674 广西
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:课题来源:“水热法近本征态Bi12SiO2晶体光折变性能的优化及其机理研究(2013GXNSFBB053004)”是2013年下达的广西自然科学基金(青年基金)项目。项目总投资10万元,其中广西自然科学基金支持经费10万元。研究目的与意义:Bi12SiO20(简称BSO)晶体是反应灵敏度最高和响应时间最快的光折变材料,在光信息存储和光信号处理等领域具有很大的应用前景。用提拉法和坩埚下降法生长的BSO 晶体光学质量都较差,严重影响了其在光折变器件中的应用,同时由于晶体中存在较多的缺陷,使得研究其光折变机理存在过多干扰因素,因此至今关于BSO 晶体的光折变机理还没有确定的结论和理论模型。该课题组采用水热法进行了BSO 晶体的预研工作,已生长出了无色透明的近本征态BSO 晶体。该课题通过掺杂3d 过渡金属离子(V,Cr,Mn)来优化近本征态BSO 晶体,以制备出具有优良光折变性能的BSO晶体,并首次以水热法生长的近本征态BSO晶体为样本对BSO晶体进行过渡金属元素V、Cr剪裁作用下的光折变机理研究,从而建立有效的理论模型,为生长BSO 光折变晶体提供理论依据。创见与创新: 该项目在水热体系下进行了Bi12SiO20晶体的生长研究,进一步在水热法体系下进行了Bi12SiO20晶体光折变性能的优化研究,首次以水热法生长的近本征态Bi12SiO20晶体为样本对Bi12SiO20晶体进行了过渡金属元素V、Cr 剪裁作用下的光折变机理研究,研究结果有望推进Bi12SiO20晶体光折变器件的研究和应用,促进中国晶体材料在光电子领域的发展。该项目进行了水热法Bi12SiO20晶体微形貌、腐蚀像等的研究,在水热体系下对Bi12SiO20晶体光折变性能进行了优化研究,与此同时研究了水热法Bi12SiO20 晶体的电光、磁光性能,利用该晶体作为电压、电流传感元件,实验研究了其工频电压、电流传感特性。存在的问题:Bi12SiO20晶体在生长时易发育成球状,导致晶体利用率低,研究发现在较多的SiO2加入下,Bi12SiO20晶体朝扁平状发育,但还没有系统的研究。因此基于上述基础还需进行系统的研究,并探讨其生长机理。
1700240676 广西
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目来源与背景:“用于高重频电光调Q开关的大尺寸水热法KTP晶体生长研究”项目是广西科学技术厅以桂财教〔2013〕48号文件下达的广西科技开发计划项目,合同编号:桂科攻1348018-7。项目合同约定起止时间:2013年1月至2015年12月。项目总投资80万元,其中广西科技开发计划资助30万元,项目承担单位自筹50万元。项目背景:高重频、窄脉宽的高功率激光器在工业生产、科学研究、军事、医疗等众多领域具有广泛的应用前景,尤其在激光核聚变、激光测距、激光制导等激光军用武器及激光精细加工和超精细加工等领域具有举足轻重的作用。该项目基于该单位多年来水热法生长高抗灰迹KTP晶体的经验,提出进行大尺寸、高完整性KTP晶体的生长研究。国产化KTP电光开关的开发将改变国外产品占据国内国防、军事、尖端科研领域的现状,具有重要的战略意义。技术原理及性能指标:技术原理:项目采用温差水热法将室温下难溶于水的KTP原料在高温高压下的水溶液中进行溶解,并通过高低温差而引起溶质对流,使得溶解的原料在悬挂于低温处的KTP籽晶上进行重结晶,通过周而复始的过程,获得大尺寸的KTP晶体。性能指标:KTP晶体抗激光损伤阈值>5GW/cm<'2>(@1064nm,TEM00,10ns,10Hz),吸收率<100ppm/cm (@1064nm),<500ppm/cm (@532nm),光学均匀性<1.0×10-5。技术的创造性和先进性:通过采用变温法进行KTP晶体的生长、克服了在大口径高压釜生长KTP晶体时自发成核多、晶体开裂及晶体生长的不稳定性,现可批量提供口径为8×8mm、通光方向长度为10mm的KTP电光调Q开关(需要在一块原晶的一定尺寸范围内加工出同样大小的两块KTP晶块以配对使用);自主设计出一套KTP电光器件的装配装置(获发明专利授权),极大提高了配对晶体的消光比,达到500:1以上,远超过其他单位给出的RTP电光开关消光比值100:1。技术的成熟程度、使用范围和安全性:成熟程度: 利用该项目技术研制的水热法KTP电光调Q开关被成功用于某型号激光测距机以及频率达100kHz的高重复频率激光器。该项目技术已达到工程化程度,项目成果得到小批量的生产,并取得了一定的经济效益。使用范围:该项目开发的KTP晶体具有优异的电光性能,主要被应用于高重频、窄脉宽的电光调Q激光器领域。安全性:该项目在执行过程中无毒无害,不会对环境造成任何污染,由KTP制作的电光调Q开关对激光器控制或调制作用,不会产生任何安全风险,因此该项目成果在推广应用过程中不存在任何职业危害。应用情况及存在的问题:项目组研发的KTP电光调Q开关已用于工业的高重频激光器和军用某型号测距机上,打破了国外垄断,有效地解决了军用装备研制中核心器件的国产化问题。但与下游激光器公司的合作还不够紧密,需要加大力度尽快拓展KTP电光调Q开关的应用范围,同时还需不断优化KTP晶体的生长工艺,使在大尺寸范围内能够获得光学均匀的KTP电光调Q开关器件,从而满足不同客户的需求。
1700240330 广西
TN6 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:基于衬底偏压技术的功率器件结构无一例外采用SOI基结构,利用埋介质层的绝缘特性阻断半导体有源层和衬底层的电流通路,通过衬底电场对体内电场的调制作用,改善耐压特性。但SOI基功率器件不可避免的带来制造工艺难度大、成本高、安全工作区小和可靠性低的问题,基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构尚未见报道。在硅基器件中采用衬底偏压技术可以避免上述SOI基器件结构的缺点,通过在硅基功率器件中衬底形成一个pn结,利用反向偏置pn结的阻断特性为基于衬底偏压技术提高硅基器件的耐压提供一条新的思路。该发明提出基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构,当硅基功率器件衬底电极施加偏置电压,通过衬底电场调制体内电场分布,不但降低纵向电场峰值,而且使器件纵向由常规功率器件承担全部阻断电压变为仅承担阻断电压的一部分,二者使得器件耐压提高,显著改善功率器件在导通电阻和击穿电压间的折中关系。基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构也可以用于制作其他类型的功率器件结构,包括横向双扩散场效应晶体管,横向绝缘栅双极型功率晶体管,PN二极管、横向晶闸管等常见功率器件结构。综上所述,该发明提出的基于衬底偏压技术的硅基功率器件,通过在常规器件的基础上,由外延层和衬底层形成pn结。当衬底加偏置电压,使衬底pn结反偏,衬底电场对体内电场调制,使漏端纵向电场显著降低,纵向电压由常规LDMOS的一个pn承担变为该发明结构的两个pn结分担,器件的阻断特性获得显著改善。随着衬底偏压的加大,衬底电场的调制作用增强,击穿电压进一步增大。该发明主要是针对器件的纵向击穿特性,可以结合表面终端技术改善功率器件在击穿电压和导通电阻间的折中关系。表面终端技术可以是埋层技术、场板技术、double RESURF技术和横向变掺杂技术等。
1700240338 广西
TN6 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:光纤耦合器(Coupler)又称分歧器(Splitter),是将光讯号从一条光纤中分至多条光纤中的元件,在光纤电信网路、有线电视网路、用户回路系统、区域网路中广泛应用。光纤耦合器制作方式则有烧结(Fuse)、微光学式(MicroOptics)、光波导式(WaveGuide)三种,而以烧结式方法生产占多数(约有90%)。烧结方式的制作法(即光纤熔融拉锥),是将两条或两条以上光纤并在一起烧融拉伸,使核芯聚合一起,以达光耦合作用,而其中最重要的生产设备是光纤熔融拉锥机,其中光纤熔融拉锥是光纤耦合器生产过程中的重要步骤。光纤熔融拉锥机虽然是结合了光学、电子学、精密机械等多项功能于一体的光纤耦合器制造设备,但是光纤装夹需要手工完成,采用永磁铁固定,光纤装夹质量不稳定,严重影响光纤熔融拉锥成品率和作业效率,该发明致力于解决光纤装夹质量,提高作业效率,保证光纤熔融拉锥质量。该发明公开了一种光纤熔融拉锥机的光纤失电电磁铁夹紧装置,包括夹具座、设置在夹具座顶面的压锤和设置在压锤底面与光纤配合的硅胶,压锤的至少一部分为软磁体材料制成,在夹具座顶面设置有夹装光纤的凹槽及电磁控制单元,其特征是:在夹具座的型腔中设置失电电磁铁,失电电磁铁的电磁线圈与电磁控制单元电连接。该发明的优点是:该装置夹紧力恒定,可靠,无波动,省电节能,特别适用于长时间稳定吸合的工况使用。
1700460015 福建
TM4 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目产品集运动控制、光电检测、气动和众多精密机械结构控制于一体,用FCS总线控制技术控制各种运动,通过指令来实现机械设备动作控制,并经过了较大程度的技术创新:绕线部分采用多头联动设计;自行设计设备结构;采用可编程控制器作为设备的控制核心,配合伺服电机机械手、气动控制元件和执行附件来完成自动上料(震动盘上料)-自动插针-自动缠脚-自动绕线-包胶-自动弯脚-自动焊锡-自动检测电阻-自动分拣卸料-自动装盘-自动堆盘的全自动化操作。设备做到了人机界面即显示参数又可控制设备,代替人工,实现全自动化无人操作。产品对行业的产业化升级和变革将起到积极的推动作用,从根本上改变了传统的人工操作流程,将为相关企业的生产工艺带来革命性的变革。
1700430177 湖北
TN8 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目技术研究成果可以在TFT-LCD面板产线中使用,该设备投入市场之后,打破了国外技术垄断的局面,极大的降低了国内TFT-LCD面板产线制造商的检测成本和运营维护成本,推动中国面板测试行业的技术和发展,同时为该司开拓出了新的市场,增强了企业竞争力,产生了良好的经济效益和社会效益。厦门友达光电、佛山群志光电、京东方等厂商的产线上,截止到2016年8月,该项目已实现销售收入1280万元,新增利税510万元。武汉精测通过对市场的详细分析,结合各液晶面板厂商生产线上实际使用的需求,推出了具有自己特色,高集成度、高可靠性的AOI自动光学检测设备,并成功应用在重庆京东方、厦门友达光电、佛山群志光电等面板生产厂的LCD、OLED产线上,并在武汉华星,深圳华星,武汉天马,上海业成光电,京东方多条产线上试用,得到了高度的评价。该项目重点突破了图像莫尔条纹和纹理数字建模及抑制技术、双工位切换机构技术、自动拔插线技术、基于曲面拟合的对比度增强技术等多项关键和创新性技术,解决行业共性难题。TFT-LCD AOI自动光学检测设备可实现自动上下料、自动拔插线、闪烁度自动调节、EDID自动烧写、自动分类判等及打包。产品大幅提升检测性能,使4K分辨率面板检测时间TT小于10秒,漏检率Miss小于0.5%,过检率Overkill小于10%,大幅超出TFT-LCD面板生产线体需求。该项目申请发明专利16项,其中2项发明同时申请PCT专利,外观设计专利2项,获得授权实用新型专利3件,软件著作权3件、软件产品1件,制定企业标准1项。项目中实现的几项关键技术还可应用于OLED面板的检测领域中,极大的提高该领域检测设备的技术指标和功能多样性。该项目主要存在三个方面的问题,一是集成度和自动化程度需进一步提升;二是性能需进一步提升;三是还不能完全兼容OLED面板的检测。
1700440043 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目产品预绞丝采用0.85倍导线的成型孔径,提高线夹强度和握力;铝合金悬垂组件在铸造过程中添加镧、铈、铒等微量稀土元素,提高机械性能;通过优化减振垫配方,并在其内侧增加螺纹线形防滑齿结构,提高抗撕裂、耐腐蚀、抗紫外线等性能。产品具有强度高、握力大、安全性好、使用寿命长等特点,技术处国内同类产品先进水平。
1700440052 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目产品预绞丝采用0.85倍导线的成型孔径,提高线夹强度和握力;采用锌铝稀土合金镀层钢丝,并在锌铝层中添加镧、铈、镁等稀土元素,提高防腐性能和加工性能;通过优化绞丝金刚砂层胶水成分,提高黏性、抗紫外线和抗氧化能力。产品具有强度高、握力大、防腐蚀性能好、性能稳定等特点,技术处国内同类产品领先水平。
1700440423 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品通过优化SMC复合材料配方,制造的壳体耐腐蚀、绝缘性能好;箱体门板与侧板设计流水斜型的1字加强筋结构,与箱体表面呈非直角夹角提高承载能力,绝缘与耐压性能好;箱体的门框、接线孔多处设置密封垫、密封条结构,改善密封性能。产品具有适用范围广、防护等级高、安全可靠等特点,技术处国内领先水平。
1700440448 浙江
TM2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品箱体采用不锈钢板全封闭结构,通过聚氨酯材料填充、密封装置和倒U型截面防水槽,防锈、防雨、防尘性能好;设置网格状凹陷型结构的标识槽,标识牢固;箱体内部安装梁采用标准模数化安装方式,安装方便。产品具有防护能力高、使用方便、安全可靠等特点,技术处国内先进水平。
1800120468 北京
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:采用磁控溅射镀膜方法,结合计算机材料与光学辅助设计技术,对吸收层进行多元组分复合材料成分设计,对膜系进行界面匹配、表面保护设计与整体光学性能优化,开发出具有光谱选择性的高品质太阳能吸收膜,实现太阳光谱吸收率高于95%、红外发射率低于4%、耐盐雾、耐热、抗老化等优异性能,并将研究适用于大面积反应磁控溅射工艺的膜层质量、镀膜均匀性、镀膜工艺稳定性等控制技术,在现有国产平板式玻璃连续镀膜生产线上进行相应的设备配置改造,建成高性价比、年产能400万平米以上的高品质太阳能吸收膜磁控溅射平板镀膜生产示范线。研究内容和关键技术:(1)高吸收、低发射、长寿命太阳能吸收膜膜系设计技术。(2)反应磁控溅射大面积生产中镀膜工艺稳定性、镀膜均匀性的控制技术。(3)高性价比太阳能吸收膜的磁控溅射镀膜装备国产化设计、制造与集成技术。创新性:(1)将有效介质理论材料介电性能计算与反应磁控溅射镀膜技术相结合,获得一系列成分梯度渐变、吸收系数大、吸收限位于太阳光波段不同波长、红外波段消光系数低的金属氮氧化物吸收膜。(2)通过多元组分复合材料成分设计、光学优化设计,界面匹配与表面保护等方法获得拥有自主知识产权的吸收率高、辐射率低、耐热性、耐盐雾性好的太阳能吸收膜膜系结构。(3)利用平板式连续镀膜设备可以同时在玻璃基片、铝板上沉积太阳能吸收膜的特点,结合靶电压反馈、在线反射光谱多点测试与椭圆偏振光谱测试提高反应磁控溅射大面积镀膜工艺中膜层质量、镀膜均匀性、镀膜工艺稳定性与可控性。
1800120518 重庆
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:平行光曝光机是应用于半导体器件、印刷电路板、触摸屏、液晶面板等产品制造的一种光刻设备,平行光曝光机采用高压汞灯作为光源,紫外LED光束变换理论与设计方法以及低成本紫外光学器件制造技术,将紫外LED用于平行光曝光机存在较大难度。项目团队凭借在微光学、自由曲面光学领域研究积累,突破LED/LD光学扩展量求解与束角变换理论、LED多自由曲面精确配光技术、紫外无机自由曲面元件低成本批量化制造技术,成功将紫外LED光源应用到曝光机领域。
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