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[成果] 0501520366 北京
R28 应用技术 [医学研究与试验发展, 中成药制造] 公布年份:2002
成果简介:实验辐照源采用陕西毛纺一厂<'60>钴γ-射线辐照装置,其强度为9.6万居里。照射量率最弱点是平均值的95%,最强点是平均值的105%,射线均匀程度可以满足辐照杀菌要求。用该装置对中成药4种剂型、40个品种、62批次的产品,作了37组辐照杀菌工艺研究,共获得1682个杂菌数据,1018个霉菌数据。在照射量率大于1000伦琴/分,除两个批次样品外,实验样品中残留细菌、霉菌数均能达到“三部卫生标准”。部分辐照 产品留样观察1~1年半,细菌数没有明显升降,霉菌数随时间延长而下降。辐照后的中成药外观未见变化。经高达143万拉特辐照后观察样品质量,其化学成分、药理活性 和急性毒性均未见明显影响。鉴定意见:<'60>钴γ-射线穿透力强,对大包装中成药可在常温下连续地进行杀菌处理,采用100万拉特以下的吸收剂量即可取得显著的杀菌效果。对含挥发性和热不稳定性成分的中药本工艺优于热灭菌法。钴源和辐照装置的设计、检测和使用技术成熟。使用安全。建议有关部门批准扩大试用。
[成果] 88200400 四川
TN3 应用技术 电子器件制造
成果简介:探测器级高阻硅要求具有高电阻率,高均匀性,高少子寿命等特点,以常规方法制取难度极大。采用SiHCl3 氢还原多晶硅为原料,以少子泵系统作为真空源,真空提纯、真空条件下成晶。其技术规格P型:晶向〈111〉,电阻率≥20kΩ-cm,断面电阻率不均匀率≤20%,少子寿命≥100μs,位错密度<500/cm;N型:晶向〈111〉,电阻率10~19kΩ-cm,断面电阻率不均匀率≤10%,少子寿命≥1000μs,位错密度<100/cm。原子能研究所采用高阻NTD硅单晶,探讨了制备探测器的各种工艺,研制出灵敏厚度达1.5~2.0mm左右的探测器,使用效果好。NTD高阻硅的研制成功为我国探测器材料的研制开辟了一条新的途径。对技术、经济和国防军工的发展具有重要意义。
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