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[成果] 1900120016 江苏
TN304.055 应用技术 [工程和技术研究与试验发展, 电子器件制造] 公布年份:2019
成果简介:有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面并形成薄膜的过程。 该项目创新在于开发新型核心部件即任意安装角度蒸发源和超长工作距离显微镜,在此基础上系统集成真空沉积系统,研制集原位形貌、光学和电学实时测量于一体的设备,解决有机小分子半导体薄膜沉积与表征在环境、时间和区域上分离的难题,实现真空内功能薄膜沉积、表征与器件制作的工作站。 为了实现与其他检测设备集成的空间问题,该项目采用全新的真空沉积结构,即将样品台置于蒸发源下方。但是,所有的商业化蒸发源的蒸发口都必须朝上,否则,所蒸发材料以及坩埚将从蒸发源中掉出。因此开发任意安装角度蒸发源是本项目的基础之一。 考虑到有机材料对环境的敏感性,该项目我们选择光学的技术来实现实时原位监测薄膜生长过程。为了实现沉积的原位监测,该项目解决了光学显微镜分辨率和工作距离不能兼顾的难题,自主开发了1微米分辨率和10厘米工作距离的显微镜,安装于真空腔观察窗外部。此设计还可以配合移动样品台对微结构的微区光学性质进行测量以及整个样品的光学性能进行大面积绘图测试。 该研制系统最后将把蒸发源控温系统、样品台的三维移动操作、形貌观察、电学测量以及光学测量通过自主开发的软件集成在一台电脑上。软件将通过多窗口显示的方式同时显示各种信号,达到即时对比的要求。
[成果] 1900120025 北京
TN201 应用技术 [工程和技术研究与试验发展, 电子器件制造] 公布年份:2019
成果简介:该项目围绕“量子调控与量子信息”专项指南“量子结构及量子效应器件”提出“半导体复合量子结构的量子输运机理及量子器件研究”,聚焦半导体固态量子结构的量子晶体管和光量子器件研究,围绕关键科学问题:低维与三维耦合半导体复合量子结构中载流子在光电磁微波场下的量子输运及操控;光电转换与效率优化;准粒子态与光子电子关联量子态的精密表征,突破理论设计、材料制备和器件研制关键难题,建立量子态精密表征测量先进平台,实现固态量子晶体管和光量子器件功能演示。 研究复合量子结构的输运理论和亚10,nm精度制备技术。输运量子态多场调控效应与量子晶体管。集成量子结构制备基量子光源器件。关联量子态相干精密测试与光量子计算演示。
[成果] 1900120036 上海
TN37 应用技术 [工程和技术研究与试验发展, 电子器件制造] 公布年份:2019
成果简介:热电转换作为一种新兴的清洁能源技术,利用半导体材料直接将热能与电能进行相互转换,不仅可以提高能量的使用效率、降低石化能源的消费比重,而且可以减少二氧化碳的排放,达到保护环境的目的,相关研究在国际上吸引了广泛关注。有效地提高热电材料性能并获得高效热电器件已成为热电转换技术工业应用的关键。而这需要国内外科研机构的通力合作解决从材料到器件的一系列关键问题。美国橡树岭国家实验室和加州理工大学具有多年热电材料研究经验,在原子分子层次上的理论研究、高品质热电材料的设计与制备、材料微观尺度上的精细表征以及宏观物理性能的精确测量等方面作出了一系列原创性成果,整体水平世界领先;该项目的研究涉及新能源材料与技术,有望为汽车尾气废热、工业余废热的高效利用发挥不可替代的作用,符合国家战略需求。 新型高性能热电材料与器件的合作研究,从原子分子层次、纳米微米尺度、以及宏观尺度上研究材料的微观结构对热电性能的影响;深刻理解材料中局域晶体结构/电子结构/振动特性变化与电热输运性能之间关系及其规律性;理解热电材料中电热协同输运的微观机制和基本规律,开展新型热电化合物与复合材料的微观结构设计与制备,获得新型高性能热电材料。以研究的新材料为基础,开发出高能量转换效率的热电器件与系统,并研究材料与器件的长期工作稳定性、机械性能、界面等对热电器件性能的影响,获得高效热电器件,并初步形成热电器件批量制备能力。
[成果] 1900010113 上海
TN215 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:该项目属信息技术领域。红外成像是一项重要的军民用光学遥感探测技术,高分辨率成像是技术发展方向。硅(Si)基碲镉汞红外焦平面器件技术解决大尺寸碲镉汞材料、互联应力以及成本等难题,是发展大规模红外成像器件的国际研究前沿和制高点,仅美国报道了相关研究。该项目围绕高分辨率航天应用需求和技术发展前沿,先后开展了Si基碲镉汞材料外延、像元阵列芯片和晶圆加工、CMOS读出电路、环境适应性、可靠性等重大基础和关键技术研究,解决了大失配体系分子束外延、器件暗电流、低噪声高速信号读出、热应力抑制等难题,自主建立了Si基碲镉汞红外焦平面器件完整的技术体系,成功地将Si基碲镉汞焦平面前沿技术推进到实用化,获上海市科技进步一等奖和中国科学院杰出成就奖(集体)。取得的主要科技创新点为: 自主建立了大失配体系分子束外延技术,发展了Si基替代衬底方法,实现了高质量碲镉汞材料外延生长,突破了第三代大规模碲镉汞红外焦平面器件的材料难题。Si基碲镉汞晶圆典型尺寸达到3英寸(最大4英寸),晶体质量、缺陷尺寸、材料均匀性等主要指标达到国际先进水平。在Si衬底上外延碲镉汞材料是一项挑战性极大的前沿工作,该项目研究结果被国外专著作为该领域标志性工作进行了综述介绍和引用。 创建了低暗电流Si基碲镉汞晶圆埋结芯片技术,发展了低噪声读出电路设计方法,有效像元率提升到99%以上,芯片合格率提升约4倍,Si基碲镉汞红外焦平面器件总体性能与国外同类器件水平相当。完成的Si基红外焦平面器件响应覆盖了短波、中波红外波段,形成了512×512、640×512、1024×1024等单片、2048×512 (拼接)不同规格产品,综合性能与美国同类Si基焦平面器件水平相当,达到了国外成熟的传统碲锌镉基产品性能水平,具备了技术升级替代、发展大规模、高可靠、低成本红外焦平面器件的技术能力。 提出了Si基碲镉汞焦平面器件温度失配应力抑制方法,率先实现了卫星应用,将先进Si基碲镉汞红外焦平面器件从领域前沿推进到实用化,为中国航天红外遥感探测技术的自主可控、创新发展奠定了坚实基础。该项目创新提出了“伸缩网络结构”碲镉汞阵列芯片的应力抑制方法、发展了应力平衡封装方法,通过了多批次Si基碲镉汞红外焦平面器件温度循环冲击、力学、抗辐照等环境适应性和可靠性试验。 Si基碲镉汞红外焦平面器件成功应用于中国重大航天工程。短波和中波512×512焦平面器件经卫星在轨测试和应用,性能优越,超出预期,取得了重大成果。完成了“高分五号”卫星高光谱相机应用的短波2048×512(256通道)Si基碲镉汞红外焦平面器件产品研制,是国产红外焦平面器件在卫星高光谱成像仪器中首次应用,突破了红外高光谱应用的核心器件瓶颈,为相机光谱成像幅宽和分辨率等综合性能达到国际先进水平做出了重要贡献。 该项目获授权国家发明专利10项、发表论文18篇,并出版国内首部先进焦平面技术专著(重要组成部分)2部(中文版、英文版)。该项目产生了显著的社会效益,具有明显的技术引领作用。
[成果] 1800130222 北京
TN305.94 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:面向IC先进封装的高密度倒装设备关键技术及产业化项目是北京中电科电子装备有限公司承担的国家 “十二五“02科技重大专项中“通讯与多媒体芯片封装测试设备与材料应用工程“项目(后立项后补助项目编号:2012ZX02621)内课题“高密度倒装设备”。研究目的是为了支持集成电路产业发展,打破国外技术封锁及关键封装设备的国际垄断局面。 该项目从集成电路先进封装实际需求出发,研究高密度芯片到晶圆/面板的倒装键合关键技术,完成高密度倒装机产业化机型并供给大型集成电路先进封装企业工艺线使用,解决2.5D/3D、堆叠芯片、扇出型等先进封装工艺制程。项目实施过程中,创立了高精密芯片远距离传输方法,解决了晶圆级倒装高速高精度键合的关键技术问题;突破了整机高速运动的振动抑制和温度漂移补偿技术,大幅度提升了生产效率。设计了C2W倒装芯片键合工艺流程,研制了全自动倒装键合设备,世界上首次实现了C2W倒装键合工艺的批量生产,确立了倒装机设计准则,形成了系列产品。研发成功了超薄芯片柔性顶拾技术,大大提升了设备的工艺适应性;创新设计了静态Up-down Camera视觉定位系统,开发了高性能总线智能控制系统,实现了高速高精度协调控制,支持智能制造系统集成。项目研制了兼容6、8、12英寸,适用于芯片到晶圆、芯片到基板、芯片到面板等倒装工艺先进封装技术的量产设备。设备结构具有平台化、可扩展、可升级等特点,装片精度达到±6μm内,生产效率超过5500颗/小时,稳定可靠性达到量产要求,具有良好的产业化前景,填补了高密度倒装设备的国内空白,达到了国际先进水平。 产业化三年来,项目实现了高密度倒装设备的销售,主要应用于江阴长电先进、无锡华进半导体、珠海越亚等国内集成电路封装龙头企业,已在生产线进行量产,完成1个多亿的销售合同,与国内封测龙头企业建立了合作关系,取得了良好的经济效益和社会效益。项目成果共授权发明专利12项,公开发表论文16篇。通过先进封装工艺和设备的联合开发,培养了机电一体化、软件设计开发、光学设计等高级技术人才60余名,提升了中国在IC先进封装装备领域的自主创新能力,为实现中国集成电路产业技术与世界同步发展提供技术支撑。
[成果] 1800280131 重庆
TN219 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:融合红外与可见光的多光谱机器视觉技术是机器人、自动驾驶等智能应用的关键技术,然而其核心的高端红外探测器、芯片与模组技术长期被欧美国家垄断,甚至中国在国防及高端制造领域的应用还受到严苛的监控,极大影响了国家战略安全和市场竞争力。2012年以来,在国家863重大专项等科技项目持续支持下,项目联合研发团队在多光谱视觉芯片、模组、系统与应用技术方面取得了突破性创新成果,包括: (1)研发了高效能类脑视觉芯片技术。发明了可重构FPAA数模混合SoC计算架构,研发了智能计算前移的新型感知芯片,实现了单芯片2000 GOPS的视觉感知计算能力。研制了新型细胞神经网络感知芯片,提高系统级感知计算能效3.5倍,实现了多光谱感知实时目标识别,成果发表于一区SCI刊物IEEE神经网络与学习系统学报,并在DAC2018国际系统设计大赛中获得速度第一、总成绩第二名,技术达到国际先进水平; (2)研制了高速短波红外模组技术。研发了240Hz 640x512 InGaAs焦平面探测器,打破了对中国军用红外探测技术的封锁。像元数、输出帧频等指标达到国内领先水平,解决了小型化、轻量化的技术难题; (3)研发了全天候多光谱融合感知技术。研发了深度神经网络多光谱融合技术,发明了新型图像降噪与运动目标检测方法。提出了跨域目标识别与场景理解方法,提升了复杂场景跨角度、多姿态目标识别效果,成果入选ESI高被引论文,技术创新受到国际广泛认可; (4)面向应用研发了多光谱视觉机器人系统。研发了无人值守的电力线巡检机器人系列产品,通过国家电网鉴定,累计销售38套。研发了多光谱自动驾驶感知系统,解决了低光照、雨雾等环境下机器视觉感知困难的问题,应用于长安多款自动驾驶车型,实现了单次2000公里的无人驾驶,技术达到国内领先水平。 项目获权发明专利6件,软件著作权2项,发表论文42篇,ESI高被引1篇,研发了视觉处理SoC芯片2款、视觉感知模组1款,获得DAC国际设计奖1次。技术整体水平达到国内领先、部分指标达到国际先进水平。该成果满足了中国电力、交通、武器装备等行业智能化的重大需求。打破了国外的技术垄断,形成了集成多光谱视觉的机器人、无人机、自动驾驶感知系统等智能化产品,近三年经济效益达6627万。按照《重庆市新能源汽车与智产业集群发展规划》,到2020年有望达到30亿的效益规模,引领重庆智能产业发展与传统产业智能化改造。
[成果] 1800130051 北京
TN305.7 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。中国集成电路产业发展严重受制于集成电路制造装备,尤其是技术难度最高、最核心的装备-光刻机。工件台作为光刻机最核心的子系统,为满足更苛刻的光刻线宽需求,其功能越来越复杂、性能不断挑战极限。该研究历时十五年,突破了纳米运动精度超精密光刻机双工件台系列关键技术,获授权发明专利126项(含美国授权发明专利13项),发表论文被SCI收录61篇、EI收录169篇。 主要技术发明点如下: 1.气浮平面电机双工件台技术。结合气浮支承和永磁同步平面电机技术,提出了“气浮平面电机”双工件台技术方案,直接跨越了单工件台和第一代双工件台方案(气浮直线电机),效能达到国际最先进的第二代双工件台(磁浮平面电机)同等水平。针对平面电机,发明了谐波对消设计方法,推力波动低至1%、寄生力矩降低90%、推力提升125%;发明了以高性能工程陶瓷为骨架、集高精度气浮、高效水冷和大推力线圈于一体的紧凑化电机动子;发明了集超大永磁阵列(2.1m2)和气浮平面(平面度<10μm)于一体的电机定子制造工艺。该方案不仅具有第二代双台方案优点,更降低了控制难度和热功耗,架构技术达到世界领先水平。 2.六自由度磁浮微动台技术。在国际上首次将过驱动技术应用于微动台的设计和控制,利用冗余电机实现了低阶模态抑制,极大降低柔性对控制精度的影响,解决了结构柔性与控制带宽的矛盾,实现等效固有频率超过700Hz、控制带宽超过300Hz。 3.纳米精度超精密测控制技术。发明了9轴冗余激光干涉测量技术,实现10pm解耦精度、20kHz解算速度;结合数据驱动与非线性控制,提出了零相位误差跟踪前馈、基于误差频率特性的变增益反馈和滑模控制,实现了运动精度MA<1.6nm、MSD<2.6nm。 4.系统化设计技术及应用创新。围绕双工件台极高的性能和可靠性需求,还发明了由零刚度重力平衡、动量守恒消振等构成的系统化设计技术,为下一代产品研发建立了完整的技术体系;通过推广应用,在大尺寸平面光栅制备、高通量基因测序等产品中发挥核心作用,提升了中国高端仪器设备的国际竞争力。 该成果通过技术转让和产品销售实现直接经济效益2.3亿元,通过推广应用实现间接经济效益7.45亿元。双工件台的成功研制,标志着中国成为世界上第2个掌握这一顶尖技术的国家,打破了专利壁垒,填补了国内空白,实现了技术跨越,开创并支撑了国产光刻机与国际领先技术同步发展的战略格局。
[成果] 1800290126 江苏
TN305.94 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:随着微电子封装密度的不断增加,封装结构的散热性能和耐压性能也被赋予更高要求。作为微电子封装结构中的重要组成部分,封装基板必须具备更高的导热、耐压和微波性能,因此,高性能的新型封装基板成为第三代半导体器件封装领域高度关注的研究与应用领域之一。陶瓷作为优越的导热绝缘材料,成为未来高密度封装承载基板应用的重要趋势。然而将陶瓷作为承载基板,对其表面进行金属化并制作电路成为陶瓷基板在微电子封装中的关键技术。陶瓷表面金属化方法。陶瓷表面金属层图形化处理方法。厚膜技术与自主研发浆料技术。针对具体应用的功能陶瓷线路基板开发与产业化。
[成果] 1800130395 北京
[TN305.7, TP278] 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:京仪装备半导体生产线专用温控设备Chiller是一款适用于半导体生产线的设备,国内市场基本依赖进口,立项目的在于打破垄断,自主研发适用于半导体工艺制程的高精度温控设备。该设备主要功能是能够不间断的提供温度可控的循环液,保障半导体工厂中刻蚀等工艺的设备腔室所需的工艺加工温度,满足温度变化范围大,负载瞬间变化,设定温度随时改变等工况要求,能够达到±0.2~0.5℃的温度精度,在28nm以下Diff、Etch、CVD、PVD、WAT、Litho等工艺流程中都对温控有不同的需求,均需要用到Chiller来控制,为满足半导体生产线的严格要求而进行研发。 主要技术创新: (1)自主研发的具有蓄冷/蓄热功能的系统设计,提供冷热两路温控液体,通过阀门切换通道,解决了集成电路主机台在同一制程过程中温度快速响应的需求,实现了温控设备温度的瞬间切换,且在切换过程中始终保持温控的精度;提高设备响应时间满足芯片加工新工艺要求的同时利用蓄热蓄冷功能降低了设备能耗。 (2)自主研发的集成电路温控系统,针对集成电路主工艺设备LAM最新制程的需求,解决了集成电路主工艺设备在同一制程过程中温度快速响应的问题,实现了温控设备温度的瞬间切换,并且具有蓄冷/蓄热功能的设计,提高设备响应时间满足芯片加工的新工艺要求的同时利用蓄热蓄冷功能在温度快速变换过程中始终保持温控的精度且降低了设备能耗。 (3)自主创新的温控控制策略和算法,在常规PID控制的基础上,开发针对半导体工艺负载特点及温控设备制冷及循环系统特点的串级控制、模糊PID控制、预测控制及自适应控制等技术,有效解决了半导体温控设备温度控制滞后,精度低,响应速度慢,负载变化大等问题,实现了12英寸28nm最新蚀刻工艺的稳定温度控制。 (4)自主研发的半导体专用温控设备电子膨胀阀控制系统,不需要电子膨胀阀驱动器,实现对电子膨胀阀开度的直接控制。解决了不同驱动器与电子膨胀阀之间的匹配问题,提高可靠性,减少硬件设备,节约成本,同时解决电子膨胀阀驱动器固有的零漂现象,提高系统兼容性。控制系统及控制软件的开发,实现了自动控制制冷量以匹配空载和带载条件下的负荷变化,避免制冷量固定造成的不必要浪费,不仅提高温控效率,而且具有节能的效果。 该项目属于国际先进水平,已实现销售收入8143万元,利税211万,经济效益显著。作为国内唯一拥有独立自主知识产权的半导体专用温控设备,积极推进半导体国产化,打破垄断,对独立发展民族经济起到极大的促进作用。
[成果] 1900010107 湖南
TN322.8 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:绝缘栅双极晶体管(IGBT)是金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)复合而成的电压驱动型功率器件,被誉为电能转换与传输的“CPU”,是实现“绿色、高效、智能”电力电子装置的核心芯片。 高压IGBT是轨道交通、智能电网、新能源等高端应用的基础器件,因技术复杂、制造难度大,国内一直未能突破,严重制约了传统产业转型升级、战略性新兴产业健康发展与国民经济安全稳定运行。 该项目从关键技术创新、生产线建设、核心产品开发三个层面重点攻关,打破了国外高端IGBT技术垄断,实现了从研发、制造到应用完全国产化,推动了中国IGBT产业“从无到强”的跨越式发展。主要创新成果有: 率先突破了高压IGBT支撑技术。针对高压IGBT所面临的低损耗、高耐压和可靠性技术难题,首创基于低温缓冲层的背面加工、基于半绝缘多晶硅(SIPOS)的边缘钝化保护、基于低应力厚铜的金属化等关键支撑技术,引领新一代高压IGBT技术进步。 探索并自主建成全球第一条8英寸高压IGBT专业生产线。针对高压IGBT的薄片、深结、厚膜、深槽结构特征带来的加工难题,系统研究、论证并提出高压IGBT工艺、设备、基础设施解决方案并自主完成8英寸高压IGBT生产线建设,首创“高温厚片+低温薄片”的工艺路线,率先开发出8英寸高压IGBT成套工艺,在全球首次实现了高压IGBT制造从6英寸到8英寸的技术跨越。 自主设计8英寸1700V-6500VIGBT并实现产业化。针对高压IGBT高电压、大电流、宽安全工作区应用需求,首创以U形元胞、多重缓冲层为代表的高压IGBT设计技术,自主开发了1700V-6500V系列产品,导通损耗和关断能力等进入国际最优行列。 自主8英寸IGBT实现批量应用并进入东南亚、欧洲市场。轨道交通领域装车743台(列),实现厦门柔直、渝鄂背靠背联网等电网重大标志性工程应用10289只,实现销售收入超过22.8亿元。打破国外IGBT长期市场垄断,促使国内进口IGBT平均价格下降了1/3,每年节约外汇数十亿元,大大提高了国内用户在IGBT领域的国际话语权,支撑了“中国制造2025”、“一带一路”等国家重大战略实施。 项目历时5年,锻造了一支“IGBT技术研发与产业化”创新团队,入选国家重点领域创新团队,成功申报并建成新型功率半导体器件国家重点实验室; 获发明专利授权28项(获中国专利优秀奖1项),发表论文50余篇。该项目曾获中国电子学会一等奖、中国电工学会科学技术一等奖;打造了自主、安全、可控的IGBT技术体系和IGBT“芯片-模块-应用”完整产业链,成果被鉴定为国际领先水平,推动了国内IGBT行业整体技术进步与产业发展。
[成果] 1900010115 湖北
TN248.4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:信息网络技术是一个国家综合国力和国际竞争力的重要标志,光电子芯片是信息网络的“心脏”,光电子芯片中的半导体激光器芯片实现信号的电光转换和发送;探测器芯片实现信号的光电转换和接收,均起着无可替代的核心作用。中国是全球宽带接入网络建设第一大国,光纤宽带用户已接近3亿户,每年需求数亿颗光电子芯片产品,但光电子芯片核心技术之前一直掌握在欧美日发达国家手中,中国90%以上依赖进口,这成为制约中国光纤宽带网络建设和威胁信息产业安全的“卡脖子”问题,美国制裁中兴事件更是给我们敲响警钟,引起了国家的高度关注,在中国多个发展战略中已经明确了光电子芯片技术基础性和战略性地位,发展自主可控的光电子“中国芯”势在必行。 在“863”计划、科技支撑计划等支持下,经过十余年的钻研,该项目在光电子芯片设计、工艺、可靠性等核心技术和产业化等方面取得了重大突破,研制出的高可靠、长寿命、低成本半导体激光器和探测器芯片,打破国外垄断,实现了国产化,全球光纤宽带接入市场份额第一,取得主要成果如下: 发明一种抑制高增益探测器芯片边缘击穿效应的新结构:首次发明免扩散雪崩二极管探测器新结构,彻底解决了扩散工艺不稳定带来的边缘击穿效应导致增益特性差的问题,增益提升30%以上接近设计理论值,成品率提高一倍。 提出一种高效率制备半导体激光器芯片相移光栅的新方法:首次提出了全息曝光技术制备激光器芯片相移光栅的新方法,解决了采用电子束光刻曝光技术时,设备投入大、环境要求苛刻、工艺繁琐周期长的问题,使光栅成本降低90%,芯片总成本降低30%,生产效率提高50倍以上。 提出一种提升探测器芯片工作带宽的新方法:首次提出在探测器芯片制备中采用湿法腐蚀和钝化技术,解决了寄生电容限制探测器工作带宽的问题,实现带宽从8GHz提高至12GHz,带宽提升50%。 发明一种提高激光器芯片寿命的新工艺:首次发明激光器芯片端面去氧化及预钝化的新工艺,解决了激光器端面易烧毁和防静电阈值低的问题,芯片寿命从几万小时提高到30万小时以上,防静电阈值提高30%。 建成国内第一、全球前五的宽带接入光电子芯片产业化基地:解决了光电子芯片难以量产的问题,实现年产芯片1亿颗以上,全球市场份额从零提升到全球第一。 该项目获授权专利18项(发明14项),牵头制定行业标准4项,发表论文31篇。近三年新增销售38.94亿元,新增利润5.97亿元。推广应用企业华为、中兴、烽火、Alcatel-Lucent、Nokia-Siemens等新增销售300多亿元,新增利润60多亿元,对促进中国宽带网络“提速降费”和信息网络建设,保障产业安全和国家安全都具有重要意义,也为5G的建设打下良好的技术与产业基础。
[成果] 1900010575 北京
TN248 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:该发明属低维无机非金属材料(学科代码4304520),涉及了多项研制量子级联激光器的关键技术。 红外激光器对国防安全和社会发展具有重要作用。典型例证:红外激光器可用于红外干扰及对抗、空间通信、战场环境评估等军事领域;红外波段覆盖了绝大多数分子的特征吸收,红外激光可用于环境、医学、工业、公共安全等领域。量子级联激光器(Quantum Cascade Laser简称QCL)是基于半导体耦合量子阱子带间电子跃迁的单极性激光器,具有小型、大功率、波长选取和调谐范围广的特征,是最理想的中远红外激光光源。该项目实施之前,国际上没有实用化的产品、仅有少数几个实验室有能力研制QCL,其技术瓶颈在于能带结构设计、近千层纳米级厚度的三元化合物半导体异质结构外延、大功率低阈值工艺、调谐范围及光束质量控制等。项目成员攻克了材料设计与制备、器件工艺等全链条关键技术,研发出波长3.5~11μm范围的一系列实用化的红外QCL,满足不同领域的需求。 发明点1:全结构近千层QCL材料制备技术、量子点QCL材料设计原理与制备技术。 (1)围绕QCL有源区近千层三元化合物半导体量子阱/超晶格结构材料层厚、组分、界面质量和调制掺杂精确控制的难题,发明了分子束外延(MBE)技术涉及的源炉温度、束流强度、生长速率、生长温度的协同控制技术,提高界面质量的同时、降低背景掺杂的影响,使QCL材料质显著提高;(2)针对QCL波导损耗难题,发明了固态MBE生长InP技术,有效降低QCL的阈值电流密度、提高输出功率;(3)发明了量子点QCL材料设计原理和对应的二级应变补偿材料制备技术,研制出国际上第一个量子点QCL。 发明点2:QCL单模宽调谐波导材料制备技术。 发明了QCL单模宽调谐波导材料制备技术,利用取样光栅对光学模式实施有效调控,解决了QCL调谐范闻、单模稳定性、阈值电流密度与输出功率兼顾的难题,研制出国际上阈值电流密度最低的QCL。 发明点3:微纳结构复合光栅材料对QCL的远场控制技术。 发明了面发射QCL的光束控制技术,解决了QCL在室温连续波工作模式下远场发散角大的难题,研制出国际第一个室温连续波工作的脊型面发射QCL。 上述发明成果共获授权发明专利26项,发表代表性SCI论文35篇,他引164次。实现了从跟踪国际前沿到并跑到关键技术创新的跨越,在解决了我国实用化QCL从无到有的基础上,部分重要指标达到国际领先水平。研制的各种QCL已用于开发红外干扰和对抗系统、脑科学研究、环境监测、二氧化碳同位素检测等,已销售给解放军61646郃队、63672部队、中航工业洛阳电光设备研究所、中电集团五十三研究所、美国Arrow Grand Technologies LLC等国内外30多个单位,近三年新增销售额378万元,产生的间接经济效益超过8000万元。
[成果] 1800280040 重庆
TN104.3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:中国历来是稀土资源的生产与消耗大国,但稀土产业整体上却处于世界稀土产业链的中低端,特别是高端光学材料和器件的性能与西方发达国家相比仍存在较大的差距,其关键原因是稀土化学与物理的理论发展滞后,对稀土局域结构和发光性能间的关系认识不深,从而高端稀土发光材料的定向设计就变得难以实施。针对这一困境与挑战,在国家科技部和国家自然科学基金等项目的支持下,完成人团队构建了基于局域结构调控稀土发光材料性能的理论方法,并在对化学与物理模型体系测试的基础之上揭示了稀土局域结构与发光性能间的定量关系,从而淘汰了传统的“烧菜”式制备方法,最终实现了白光LED用和光学测温两类新型稀土发光材料的定向实验研制。主要取得的科学发现点如下: (1)首次建立了可用于研究稀土发光材料性能的第一性原理计算与晶体场理论杂化的计算理论体系,并提出了对稀土发光材料电子结构和电声子耦合效应进行混合设计的思想,为定量关联稀土局域结构和发光性能奠定了理论基础。 (2)通过对模型体系的测试,首次确认了领域内长期以来采用多面体化学结构单元取代策略合成新型稀土发光材料方案的正确性,提升了稀土发光材料学家对这一化学理念的认识与理解,所发现的局域结构与发光性能间的定量关系可成为先进光功能材料研发的科学基础。 (3)依托以上理论研究成果,开展了定向实验设计与合成:揭示了稀土荧光粉局域结构和发光性能关系的温度依赖,阐明了调控稀土荧光粉发光性能热稳定性的机制,彻底改变了稀土荧光粉发光性能温度依赖研究无系统性计算理论介入的局面;新开发了可发近标准白光的稀土透明玻璃陶瓷的制备路线,为价态多变型元素掺杂的光学材料性能的调控开辟了新思路;设计出了具有高温敏度和宽测温范围的新型光学测温稀土玻璃陶瓷,在光纤温度传感器研究领域有潜在的应用价值。 该项目累计发表SCI论文106篇,SCI他引1291次,所提交的20篇主要论文SCI他引53 5次,其中8篇代表性论文发表在材料化学与物理领域顶级期刊JA mC h e m Soc(IF=14.357)等上,SCI他引289次,1区top5篇,2区top2篇,ESI前1%高被引论文篇。成果多次被Chem Rev(IF=52.613)等国际顶级期刊引用,并得到国家千人、杰青和领域国际知名专家如Pieter Dorenbos教授(H指数65)等的肯定和引用,同时完成人也多次受邀在PRiME等国际学术会议上做大会邀请报告讲述该成果。
[成果] 1800180445 上海
TN389 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:随着全球半导体产业重心朝亚太区域转移,中国作为全球电子产品生产和消费基地的地位日益牢固。2015年,国家半导体产业大基金的成立,以及各大型并购事件的完成,也从政策层面反映出国家对半导体产业发展给予的高度重视。作为国内半导体芯片代工的领军企业,中芯国际秉承着“先进工艺和特色工艺双管齐下”的布局策略,在立足先进工艺的同时,依托特色工艺来开辟差异化的发展道路。 SPOCULLTM特色创新工艺是中芯国际总裁邱慈云博士在中国大陆、美国、韩国、台湾等国家和地区都持有的授权技术发明专利。它的全称是SMIC Poly Contact Ultra Low Leakage,即“中芯国际多晶硅互连超低漏电工艺”。顾名思义,SPOCULLTM工艺专利性地采用离子掺杂的polysilicon多晶硅的低电阻特性来形成非常灵活的平面互连,从而可以大大地减小晶体管和芯片整体的面积,并且可以优化金属布线、减少金属层数,这就意味着可以最大程度地减少光掩膜数量、降低NRE成本并减少制造的时间成本。同时保持晶体管器件的性能参数不变,并显著降低漏电流。 这套工艺平台中有着大量丰富的创新点,其中绝大多数都已申请国家发明专利。其中包括:1.创新性地采用低压低温方式生长的多晶硅层,可以获得超低缺陷的薄膜,同时掺杂元素的扩散深度均匀性高;2.多晶硅生长之前新颖地使用中性离子掺杂来作为有源区表面处理方式,可以获得良好可控的源漏极扩散宽度,显著降低衬底漏电流;3.创新地采用O-N-O结构的金属硅化物阻隔层,不仅可以显著提高结击穿电压,而且提高了金属硅化物的淀积厚度形成良好的欧姆接触、减低了多晶硅层的连线电阻等等。
[成果] 1900010425 北京
TN24 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:红外飞秒激光可以深入透明介质内部诱导多光子吸收产生电离,实现突破光学衍射极限的三维微纳制备。项目针对多光子吸收、电离、介质改性高度非线性相互作用过程的复杂性,以及等离子体和介质改性导致激光脉冲焦点的畸变,制备的结构形貌难以控制等问题,在器件制备层面上揭示了飞秒激光诱导玻璃电离的机制,测定相互作用的关键数据,优化激光参数,大大提高了制备精度;在原子层面上更精确揭示了电离机制,为调控电离率和高精度微纳制备提供指导;发展了超高分辨飞秒激光双光子聚合方法,获得了20纳米最小特征尺度的聚合线,并制备出高品质三维光学微腔等器件。取得如下重要成果: 1.揭示了飞秒激光诱导玻璃的电离机制,优化激光参数,提高了三维微纳制备精度:控制飞秒激光诱导透明介质中电子密度及其分布、电离率是微纳尺度改性三维微纳制备的基础,但是高功率激光引起激光焦点严重畸变或成丝降低制备精度甚至导致加工失败。项目建立了飞秒时间分辨的阴影成像和干涉成像相结合的实验系统,测定了石英玻璃中电子密度、等离子体寿命和电子声子碰撞时间等关键数据,确定了材料物性改变的决定因素。优化激光参数,提高了三维微纳制备精度。非线性光学专家Downer教授等多个研究组均采用项目测定数据作为计算依据,生物光学专家Vogel教授、非线性传输专家Mysyrowicz教授等在Chem. Rev.综述和Phys. Rep.综述等论文中引用项目的成果。 2.在原子层面上精确揭示了电离电子的动力学行为,为飞秒激光与物质相互作用高阶光学非线性过程的调控提供指导:项目研制了国际先进、国内首套高分辨电子-离子符合测量系统,精确测量了飞秒激光电离阈值附近电离电子的精细能谱和动量谱,发现了离子库仑势引起的电子多次散射对电子温度的重要影响,揭示了电离电子被俘获到接近电离的里德堡态引起电离率变化的重要机制,从而可以通过优化飞秒激光参数调控高度非线性过程中的电离率和电子温度等。工作入选“2012年度中国高等学校十大科技进展”,得到了三步电离模型提出者Corkum教授、符合测量技术的先驱Ullrich教授、强场近似理论的提出者Faisal教授多次正面引用。 3.发展了超高分辨飞秒激光双光子聚合方法,制备了高品质器件:获得了20纳米最小特征尺度的聚合线,远小于400纳米的衍射极限,为制备更小体积的光学器件提供了可能途径。双光子聚合专家Fourkas教授在Science论文中指出项目制备的聚合线条具有更细的分辨率,并肯定了项目提出的聚合物收缩所起的作用。理论预言了金属覆盖的光学微腔存在有利于高灵敏传感的外部回音壁模式,被德国汉堡大学实验组证实。制备了高质量的圆对称和非对称光学微腔,模式的品质因子接近理论极限值,并实现了高效单向耦合,为有机材料的微腔激光和高灵敏度传感等提供了重要器件。 8篇代表性论文包括3篇Phys.Rev.Lett.,2篇Appl.Phys.Lett.,2篇Opt.Lett.,1篇Nano Lett.,被SCI他引425次,部分成果入选中国高等学校十大科技进展。
[成果] 1800230044 河北
TN305 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:1、所属科学技术领域:该项目属于半导体射频器件和电路领域。 2、立项背景:频谱资源短缺成为制约新一代信息技术发展的主要瓶颈,太赫兹作为全新频谱资源,其频谱资源丰富、带宽大、速率高、保密性好,是大数据信息网络、6G无线通信的必然选择,成为世界强国争先抢夺的技术制高点。但是,太赫兹应用技术的发展最大瓶颈受限于大功率二极管芯片,国外对中国实行封锁。在国家863计划和十三所自主课题等项目的支持下,项目组经过技术攻关,突破了从材料生长、器件工艺、部件、到集成应用的关键技术,形成了全自主知识产权,将GaN器件截止频率提升至902GHz和输出功率提升至24mW,调制器调制速率达到1GHz,达到国际先进水平,打破了国外技术封锁。 3、主要技术内容及发明点: (1)针对太赫兹芯片半导体材料二维电子气迁移率低的国际性难题,发明了基于应力控制技术的超高二维电子气浓度InAlN/GaN材料体系制备方法,,解决了现有InAlN材料相分离的缺点,将二维电子气迁移率提高至2175cm2/V•s,可提高了器件的工作频率,填补了国内空白,材料二维电子气浓度和迁移率指标达到国际先进水平。 (2)针对氮化镓二极管工作频率低的国际性难题,发明了基于极化掺杂和调制掺杂GaN材料的肖特基二极管技术,国内首次实现了截止频率高达0.902THz的大功率GaN肖特基二极管系列芯片,实现了中国GaN太赫兹二极管芯片零的突破,率先开创了中国第三代半导体的太赫兹技术“芯局面”。 (3)针对难以高效调控太赫兹波的国际难题,发明了氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)与人工微结构阵列嵌套的高速太赫兹调制器件,解决了传统方法依靠独立体材料调控太赫兹波效率低、速度慢的问题,将国际上太赫兹波调控速率提高了2个数量级,一举扭转了中国太赫兹核心元器件受制于人的被动局面。 4、技术经济指标:GaN基InAlN/GaN材料电子迁移率将国际最高指标1700 cm2/V•s提高至2175 cm2/V•s;GaN太赫兹肖特基二极管截止频率将国际最高指标200GHz提至902GHz;GaN太赫兹调制器将国际最高指标0.1GHz,提高到1GHz;GaN基太赫兹材料、芯片和模块各项指标达到国际领先水平。 5、授权专利情况授权:国家发明专利14项,美国发明专利2项。 6、应用及效益情况:该项目研究成果已成功应用于中科院微电子所、中国电子科技集团第五十四研究所、东南大学等单位在全国产化毫米波、太赫兹系统研制。项目组研制的太赫兹芯片和模块应邀参加国家“十二五”科技创新成就展,受到了国家领导人的“检阅”。同时,太赫兹二极管及调制器集成应用于中国首套高速太赫兹无线通信系统。美国阿拉莫斯国家实验室太赫兹领域首席科学家评价为“这项成就开创了发展高性能太赫兹无线通信系统和成像系统的大道”。
[成果] 1800180055 上海
TN47 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:该项目为推动中国集成电路制造产业的发展,提升中国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力,根据“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项指南,公司立项开展拥有中国自主知识产权的28nm集成电路芯片先进测试技术研究及平台建设,通过研发先进的测试技术,形成封装与测试一体化的服务能力,满足国内自主产品28nm先进工艺的测试需求。 三大突破性技术革新: (1)基于28nm集成电路芯片先进测试技术平台的融合创新架构技术; (2)基于“芯-端-云”架构的互联网+集成电路测试技术;采用结构测试技术实现“瞬时”故障捕获; (3)突破高端集成电路芯片测试技术,完成建立高端集成电路测试公共服务平台。 关键技术创新: (1)构架于国际先进装备之上的融合创新测试技术体系; (2)先进工艺智能测试工程技术; (3)芯片远程人机互动创新测试技术; (4)核心芯片比测解决方案; (5)高端SoC应用处理器测试技术; (6)12GHz超高速RFIC芯片全自动产业化测试。 关键技术指标: (1)在28nm领域率先完成了:构架于国际先进装备之上的融合创新测试技术体系,基于STILBridge的接口软件和多平台测试接口硬件设计,实现多平台的Smart Link Kit软硬件融合的测试技术服务; (2)建立了比测方法体系和比测评价环境,为核心芯片提供全温区(-55℃~125℃)的功能性能比测方案; (3)完成MEMS prober、DD prober等适应先进工艺产品测试工程技术,实现>4300pins高密度微间距探针系统测试,多套平台晶圆级高速芯片量产比对,并实现稳定量产。 (4)完成建立的12英寸、28nm集成电路的测试技术开发平台,支持16Gbps数字速率,混合模块,射频收发24ports。 (5)突破了12GHz超高速RFIC芯片全自动产业化测试技术,提供测试评价、稳定性监控等全自动产业化测试解决方案。 利用该项目研发的科研成果和测试平台建立了面向军用和民用的测试实验室,获得CNAS资格证书、CMA计量认证以及国家保密资质、武器装备承制单位认证;同时,有效支持了01、02专项及其他政府部门相关项目的测试和验收工作;平台纳入了上海市集成电路公共服务平台系统,实现了资源开放共享,连续六年获得“上海市大型科学仪器设施共享服务先进集体”称号。 项目研发技术成熟,完成建立的12英寸、28nm集成电路的测试技术开发平台,每年为70多家100多项产品提供芯片测试验证分析和产业化生产测试服务,年产能超过20万片,每年测试年产量达到4亿颗。凭借该项目的开发使得公司技术服务产值增加18934多万元,上缴国家税收947万元,净利润6314万元,实现了较好的社会效益和经济效益。
[成果] 1800280036 重庆
TN36 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:溶液法制备的太阳能电池和发光二极管在信息显示、照明以及新能源等领域展现了广泛应用前景,是国家科技部重点专项和重庆市“2+10”战略性新兴产业的重要研发内容。该项目针对这类器件发光/吸光功能层在电/光场作用下的高效能量转换,及界面载流子快速转移和输运的关键科学与技术问题,在国家863计划军口项目、国家“青年千人”计划、国家基金委等项目支持下,开展了半导体物性精细调控、器件结构设计及各功能层电荷输运等方面的研究,建立了有机/无机半导体功能材料的溶液合成方法,揭示了影响薄膜晶化过程以及界面能量输运的关键机制,阐明了材料结构-物性-器件性能之间的内在规律,在半导体材料合成、薄膜晶化控制以及高性能器件的应用方面取得了一系列拥有中国自主知识产权的原创性研究成果,并产生了显著的经济效益。主要科学发现点如下: (1)研发了基于过渡金属催化的富勒烯功能化方法,阐明了通过分子自组装提高电荷迁移率的机制,率先提出了利用向列相液晶结晶调控薄膜形貌的思路,为研究高效有机太阳能电池提供了新途径。 (2)创新了基于前驱液pH值调节、元素组分调控、短链配体改性等一系列无机纳米晶的表面功能改性方法,实现了晶体尺寸、形貌及光电性能的精细调控,为研发高效发光二极管提供了新思路。该成果获2017年重庆产学研一等奖。 (3)提出了高效、稳定的杂化光敏层及多叠层电荷传输层的器件新结构,揭示了光电器件有源层与其外延功能层协同增强机理,实现了发光二极管在照明领域的应用,产生了显著的经济效益。该成果获2016年国际IEEE光子学会青年科学家奖。 8篇代表性论文及主要论文发表在Nat.Commun.(IF=12.12)、J.Am.Chem.Soc.(IF=13.85)、Angew. Chem. Int. Ed. (IF=11.99)、Opt. Lett. (IF=3.48)等高水平期刊上,受到了诺贝尔奖获得者A. Heeger教授、中科院院士西北工业大学黄维教授等知名专家的高度评价。获授权发明专利10项,8篇代表性论文近三年来SCI他引779次,均为ESI高被引论文(5篇为前1%,其中0.1%热点论文2篇;3篇为前3%),篇均他引97次;20篇论文专著中(其中1篇英文专著章节),19篇论文SCI他引1002次。项目完成人入选国家“青年千人”计划1人、重庆市“青年拔尖”人才1人、重庆市“百人计划”1人。
[成果] 1800220315 安徽
TN302 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:(一)项目所属的学科技术领域: 该项目属于半导体电子器件和非线性电路系统理论与应用学科技术领域,片上电感、忆阻器及以其为基础的系统设计是电子电路设计技术的关键问题之一,缺乏高性能片上电感成为制约集成电路发展与高性能芯片系统实现的主要瓶颈之一。忆阻器是一种具有记忆特性的非线性电路元件,忆阻器基复杂系统的构建、分析、同步及参数辨识是其应用于保密通信、微弱信号检测等领域的前提。 (二)主要研究内容: (1)通过多路径交叉连接技术,抑制了螺旋电感趋肤效应与邻近效应,提高了片上螺旋电感的品质因数。提出了零点影响因子来表征零点对传递函数的影响,实现了高精度、宽频带片上螺旋电感模型的建立。(2)提出了基于传输线理论的去嵌技术去除测试结构对测试数据的影响,提高了测试精度,并通过电磁仿真软件,验证了去嵌技术的正确性与精确性。(3)基于磁控忆阻器模型,构建了新的忆阻型混沌Lorenz复系统、忆阻型超混沌LÜ复系统,从仿真的角度,基于Lyapunov指数、时域波形图、相图等对两个系统动力学行为进行了分析。(4)基于Lyapunov稳定性理论及自适应控制方法,为同构忆阻型混沌Lorenz复系统设计了修正投影同步控制器;为含未知参数的同构忆阻型超混沌LÜ复系统设计了自适应广义复同步控制器和参数辨识更新率,为含未知参数的异构忆阻型混沌复系统及其他混沌复系统设计了自适应广义复同步控制器和参数辨识更新率。 (三)科学发现点和科学价值: (1)提出的多路径交叉连接技术能够提高片上电感品质因数,该技术可应用于片上单端电感、差分电感、叠层电感及变压器等元件设计中。提出的片上元件宽带建模技术可以实现片上元件微波及毫米波建模。(2)提出的去嵌技术不仅能去除片上元件的开路寄生与短路寄生,还能够去除连接金属线引入的寄生,提高元件测试精度。(3)构建的忆阻器基Lorenz复系统与忆阻器基超混沌LÜ复系统具有对称与不变性、耗散性,具有无穷多个稳定或不稳定的平衡点,比忆阻器基实系统具有更为复杂的动力学行为,如周期、分岔、混沌、超混沌、瞬态混沌、动力学行为初值敏感性等。(4)提出的自适应广义复同步方法能使忆阻器基混沌(超混沌)复系统间的同步得以快速实现,未知参数得以准确辨识,将其应用于混沌保密通信,可以提高通信的安全性能和传输效率。 (四)同行引用评价: 该项目在IEEE Transactions on Electron Devices、Entropy等国际著名学术期刊和会议上发表论文20余篇,其中8篇代表作Google Scholar他引58次,SCI他引36次。引用者来自16个国家/地区。该项目申请实用新型专利3项,第一完成人主持完成的安徽省自然科学基金结题评价为优秀。
[成果] 1800170190 浙江
[TM910.6, U469.72] 应用技术 电子器件制造 公布年份:2018
成果简介:该项目属于电气工程学科,涉及电力系统及其自动化等专业。 发展电动汽车产业是落实国家能源和节能减排战略的重要手段。大力推进充换电基础设施技术研究与应用,是发展电动汽车产业的重要保障。一直以来,充换电设施还存在技术体系及标准欠缺、设备通用性和安全性不完善、成组电池寿命不高和退役处理存在困难等技术难题,直接制约了电动汽车产业的发展。该项目聚焦于电动汽车电能补给领域,在国家高技术研究发展计划(863计划)、国家电网公司科技项目计划等支持下,产学研用单位历经六年协同攻关,对电动汽车充换电技术进行了系统研究,形成了一系列充换电技术与装备的自主知识产权及技术标准。主要技术创新如下: 1.创建了纯电动乘用车电池更换技术体系。提出了适应于快换电池箱的连接技术与通信接口,研制了通用电池箱,创新构建了充换电设施建设运营模式,开发并部署了电动汽车充换电设施运营监控系统,首次建成城际互联的电动汽车充换电服务网络。 2.研制了全系列电动汽车充换电核心装备。包括多规格的充电设备、换电设备和测试装置,其中全自动换电机器人采用双目视觉高精度定位、全景安全防护等技术,实现了多车型电动汽车电池箱全自动更换,创造并保持了整车换电时间1分24秒的高速换电纪录。 3.突破了动力电池寿命提升及梯次利用技术。提出了外部均衡技术和全时并发内部均衡技术,延长动力电池寿命2-3倍,研制了基于退役动力电池的储能系统,实现了退役动力电池免拆解、免分选直接再利用。 项目共取得授权发明专利46项,其中美国专利2项;软件著作权4项;出版专著1本;发表论文9篇,其中SCI检索2篇、EI检索3篇;牵头制定国家标准2项、能源行业标准2项,参与制定国家标准4项、能源行业标准5项。 项目成果自2012年起陆续应用于华云能源、时空电动汽车等省内多家单位及省内816座充换电站,累计实现充换电次数718万次,充换电电量34852万千瓦时,燃油替代1.5亿升,二氧化碳减排10万吨,一氧化碳减排2866吨,颗粒物减排178吨。项目成果还推广至北京、上海、江苏等十余个省市。项目近三年直接经济效益约22亿元,极大地推动了浙江省构建涵盖整车生产研发、电池材料、电机电控、充电设备制造及运营等完整的产业链体系,为浙江省抢占新能源汽车产业制高点、打造人与自然和谐共生的美丽浙江作出贡献。
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