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[标准] GB/T 15879.5-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊(TAB)作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元,对集成电路(IC)到载带的互连(内引线焊接)没有明确要求。
[标准] GB/T 36614-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。
[标准] GB/T 36477-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。插入上标本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
[标准] GB/T 36479-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了焊柱阵列(CGA)的试验方法。本标准适用于采用焊柱阵列(CGA)封装形式的集成电路(以下简称器件),焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。
[标准] GB/T 36474-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
[标准] GB/T 35086-2018 中外标准
TJ 2018/05 未生效
摘要:本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。
[标准] GB/T 4377-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
[标准] GB/T 35006-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。 本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
[标准] GB/T 35010.2-2018 中外标准
TJ 2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分规定了可用于数据交换的数据格式,此格式在GB/T 35010的其他部分有应用,同时所有使用到的参数定义依据GB/T 17564.4-2009的准则和方法。本部分提出了一种器件数据转换(DDX)格式,主要目的是促进芯片制造商和CAD/CAE用户之间几何数据的充分传输,并提供正规的信息模型,这些信息模型允许将数据转化为其他格式,例如与GB/T 16656.21-2008和XML一致的STEP物理文件格式。超出本部分规定范围,为了允许该数据转换格式的使用,该格式被特意赋予很大的灵活性。本部分用于指导半导体芯片产品生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:晶圆;单个裸芯片;带有互连结构的芯片和晶圆;最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分DDX数据格式的版本是1.3.0。
[标准] GB/T 35005-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。 本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。
[标准] GB/T 35007-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路低电压差分信号(LVDS, low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。 本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。
[标准] GB/T 35003-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。 本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
[标准] GB/T 14028-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
[标准] GB/T 35002-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了微波电路频率源的电参数测试方法。 本标准适用于微波电路频率源,包括直接模拟合成源、直接数字合成源、间接模拟合成源和间接数字合成源,其他产品可参照使用。
[标准] GB/T 35010.4-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片与晶圆; ●小尺寸或部分封装的芯片与晶圆。 本部分包含GB/T 35010其他部分需求的信息表,本部分适用于芯片产品的供应商与使用者之间的协商与签约。目的是帮助所有芯片产品供应链的制造商参照GB/T 35010.1-2018和GB/T 35010.2-2018标准的相关要求执行。 需要注意的是,本部分中的表格构成了可能被提供的一个信息清单,就实际产品和所有领域所涉及的信息有所欠缺。这里,针对不同的市场可能需要将这些信息纳人。
[标准] GB/T 35010.6-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●最小或部分封装的芯片和晶圆。 本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 62258-1和IEC 62258-2的要求。
[标准] GB/T 35004-2018 中外标准
TJ 2018/03 现行
摘要:为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)引人建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。
[标准] GB/T 35011-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了压控振荡器(以下简称“振荡器”)主要电参数的测试方法。 本标准适用于双极晶体管(BJT)和场效应管(FET)制造的压控振荡器,其他电压控制输出频率的振荡器可以参照使用。
[标准] GB/T 35010.8-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●最小或部分封装的芯片和晶圆。 本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式;满足IEC 62258-1,IEC 62258-5及IEC 62258-6的实施要求;补充IEC 62258-2中定义的数据交换结构;兼容且补充IEC 62258-4中的信息表。
[标准] GB/T 35010.5-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●最小或部分封装的芯片和晶圆。 本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 62258-1和IEC 62258-2的要求。
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