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GB/T 35004-2018 中外标准
TJ 2018/03 未生效
摘要:为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)引人建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。
GB/T 4377-2018 中外标准
2018/03 未生效
摘要:本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
GB/T 35010.2-2018 中外标准
TJ 2018/03 未生效
摘要:GB/T 35010的本部分规定了可用于数据交换的数据格式,此格式在GB/T 35010的其他部分有应用,同时所有使用到的参数定义依据GB/T 17564.4-2009的准则和方法。本部分提出了一种器件数据转换(DDX)格式,主要目的是促进芯片制造商和CAD/CAE用户之间几何数据的充分传输,并提供正规的信息模型,这些信息模型允许将数据转化为其他格式,例如与GB/T 16656.21-2008和XML一致的STEP物理文件格式。超出本部分规定范围,为了允许该数据转换格式的使用,该格式被特意赋予很大的灵活性。本部分用于指导半导体芯片产品生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:晶圆;单个裸芯片;带有互连结构的芯片和晶圆;最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分DDX数据格式的版本是1.3.0。
GB/T 14028-2018 中外标准
2018/03 未生效
摘要:本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
GB/T 34900-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。 本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
GB/T 34893-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。 本标准适用于表面反射率不低于4%,宽深比不低于1:10,且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。
GB/T 34894-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微悬臂梁结构表面形貌进行应变梯度测量的方法。 本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微悬臂梁结构。
GB/T 34898-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了谐振式传感器中MEMS谐振敏感元件(以下简称敏感元件)非线性振动特性参数的 测试方法。 本标准适用于敏感元件在研制和生产过程中关于非线性振动特性和敏感元件闭环系统频率偏移的测试,其他非MEMS敏感元件可参考使用。
GB/T 34899-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了拉曼光谱法测定微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的方法。 本标准适用于微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的拉曼光谱法测试。
GB/T 33922-2017 中外标准
TF 2017/07 现行
摘要:本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。
GB/T 33929-2017 中外标准
TF 2017/07 现行
摘要:本标准规定了MEMS高g值加速度传感器的电气性能和基本性能的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验项目及方法。 本标准适用于量程在1X104g~2X105g范围的MEMS高g值加速度传感器(以下简称加速度传 感器)性能试验。
GB/T 33657-2017 中外标准
TJ 2017/05 现行
摘要:本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
GB/T 32814-2016 中外标准
TF 2016/08 现行
摘要:本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
GB/T 32816-2016 中外标准
TF 2016/08 现行
摘要:本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
GB/T 32817-2016 中外标准
TF 2016/08 现行
摘要:本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQ-CECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。 本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(Micro一TAS)和微能源MEMS]。
GB/T 32815-2016 中外标准
TF 2016/08 现行
摘要:本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。
SJ/T 11585-2016 中外标准
CP 2016/01 现行
摘要:本标准规定了规定了串行与非型快闪存储器(SPI NAND Flash)的物理接口、结构、指令定义、串行快闪存储器接口(SFI)参数说明等。
GB/T 15876-2015 中外标准
TF 2015/05 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。
GB/T 15878-2015 中外标准
QT 2015/05 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架。
GB/T 16525-2015 中外标准
QT 2015/05 现行
摘要:本标淮规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。
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