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[标准] GB/T 16595-2019 中外标准
2019/03 未生效
摘要:本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。
[标准] GB/T 16596-2019 中外标准
2019/03 未生效
摘要:本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。
[标准] GB/T 14844-2018 中外标准
2018/12 现行
摘要:本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
[标准] GB/T 37053-2018 中外标准
2018/12 现行
摘要:本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件,以及微波与电力电子功率器件。
[标准] GB/T 8756-2018 中外标准
2018/12 现行
[标准] GB/T 37051-2018 中外标准
2018/12 现行
[标准] T/ZZB 0648-2018 中外标准
2018/10 现行
[标准] GB/T 12964-2018 中外标准
2018/09 现行
摘要:本标准规定了硅单晶拋光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
[标准] GB/T 12965-2018 中外标准
2018/09 现行
摘要:本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子擅变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
[标准] GB/T 26071-2018 中外标准
2018/09 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。
[标准] GB/T 36706-2018 中外标准
2018/09 现行
摘要:本标准规定了磷化锢多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于生产磷化锢单晶用的磷化锢多晶。
[标准] GB/T 25076-2018 中外标准
2018/09 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。
[标准] GB/T 35308-2017 中外标准
TJ 2017/12 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片(以下简称"外延片")的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片。
[标准] GB/T 35310-2017 中外标准
CP 2017/12 现行
摘要:本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
[标准] GB/T 35305-2017 中外标准
TJ 2017/12 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用砷化稼单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化稼单晶抛光片(以下简称砷化稼抛光片)。
[标准] GB/T 35316-2017 中外标准
2017/12 现行
摘要:本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。
[标准] GB/T 35307-2017 中外标准
CP 2017/12 现行
摘要:本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料,采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。
[标准] GB/T 25074-2017 中外标准
CP 2017/11 现行
摘要:本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。
[标准] GB/T 34479-2017 中外标准
CJ 2017/10 现行
摘要:本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。 注:字母数字标志及关联信息存人数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
[标准] YS/T 724-2016 中外标准
2016/07 现行
摘要:本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。本标准适用于多晶硅生产用硅粉。
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