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发明专利 CN201710984458.9
摘要:本发明公开了一种微波爆料机,属于多晶硅拉晶工艺技术领域。该装置用于大块多晶硅原料的加热工序,包括借助支架固定的加热箱体及加热箱体的电路控制系统,电路控制系统与电源连接,加热箱体的一侧边开有箱门,还设置有微波发生器和控制器,微波发生器的能量输出端连接设置有磁控管,磁控管伸入加热箱体内且固定于加热箱体的内壁上,加热箱体的内部设置有用于放置多晶硅原料的物料盒,控制器的信号输出端分别连接加热箱体的电路控制系统和微波发生器的信号输入端。提高原料破碎的效率,提升产量以满足拉晶车间的使用,降低人工成本,并且具有料损低、节能省电的优势。
发明专利 CN201710961981.X
摘要:本发明公开了一种多晶硅铸锭炉的分层式侧加热器,涉及光伏设备铸锭技术领域,包括顶加热器和侧加热器,侧加热器包括均呈方形的上层侧加热器和下层侧加热器,上层侧加热器与顶加热器并联组成上层并联单元,下层侧加热器独立控制,顶加热器与上层侧加热器之间设有连接的上层侧三向吊臂,下层侧加热器与上层侧加热器之间设有连接的下层侧吊臂,下层侧吊臂与上层侧加热器在交叠位置设有用以隔离两者的绝缘垫片。本发明将上层侧加热器与顶加热器组成并联单元,下层侧加热器独立控制,侧加热器分为两层加热,两层之间的间距可调,从而可有效控制上下温度梯度,消除阴影;在长晶后期,可单独控制下层侧加热器关闭,从而减少能源损耗。
发明专利 CN201710961685.X
摘要:本发明公开了一种用于铸造倒角G7多晶硅的石墨加热器装置,涉及光伏制造,包括铜电极、侧加热器、顶加热器和电联组件,电联组件将侧加热器、顶加热器分别与铜电极电连接,侧加热器包括侧前加热板、侧左加热板、侧后加热板和侧右加热板、侧连接板,顶加热器包括U型加热板、两块顶部小加热板、两块顶部大加热板和连接块组件,两块顶部小加热板对称设置且其一端分别连接U型加热板的两开口端,两块顶部大加热板对称设置且其一端相互连接,其另一端分别连接顶部小加热板的另一端。本发明彻底打破了GTSolar的G4和G5多晶炉无法改造G7的局面。
发明专利 CN201710948102.X
摘要:本发明公开了一种立方氮化硼单晶的制备方法,包括以下步骤:称取六方氮化硼粉、Mg‑Al合金粉、长石粉,均匀混合,并压制成合成柱;对合成柱进行高温高压合成,得到黑色的立方氮化硼晶体粗品;破碎得到块状立方氮化硼晶体粗品,再经过酸处理、碱处理、烘干、筛分过程得到立方氮化硼晶体成品。本发明主要通过控制合成原料内长石粉的含量来实现控制合成立方氮化硼的粒度及其他性能。由本发明提供的立方氮化硼晶体的制备方法可以合成出粒度范围在60‑140目及以细范围内的立方氮化硼。该种立方氮化硼可以应用在制备立方氮化硼聚晶及复合片、立方氮化硼超硬砂轮及研磨产品。
发明专利 CN201710917439.4
桂林百锐光电技术有限公司 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 2017-09-30
摘要:本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法,具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物,置于高压釜中,以锂离子浓度为1‑5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂,采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶,反应基础原料无需压制和烧结,工艺更为简单;另一方面,采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂,既不会引入其它杂质,原料利用率也高,矿化剂浓度兼容性好,还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。
发明专利 CN201710908114.X
苏州大学 2017-09-29
摘要:本发明公开了一种四价鎓盐化合物5,10,15,20‑四(N‑烃基‑4‑吡啶鎓基)卟啉铅碘酸盐及其制备方法:取碘单质、碘化铅、醇、水以及5,10,15,20‑四(N‑烃基‑4‑吡啶基)卟啉混合于乙腈中,并于加热条件下反应数小时原位生成得到5,10,15,20‑四(N‑烃基‑4‑吡啶鎓基)卟啉铅碘酸盐的单晶;原料来源广泛、廉价易得,产物纯度及产率较高,单晶结构明确,反应装置简易,方法简单,反应过程中无需惰性气体保护。
发明专利 CN201710901752.9
摘要:本发明涉及多晶硅生产技术,旨在提供一种定向水冷散热的节能型高效多晶硅铸锭炉。该种定向水冷散热的节能型高效多晶硅铸锭炉,包括炉体、隔热笼、石墨护板、定向散热块、底保温板、隔热百叶、水冷铜板、水冷铜管、石墨支撑柱、隔热移门、石英坩埚、顶部加热器、侧部加热器。本发明的底部水冷具有定向作用效果,只是对DS块进行辐射吸热,而不影响加热器的工作,因此冷热源是完全隔离而无相互作用,避免炉隔热笼提升时加热器功率上升的现象;底保温板和隔热百叶配合实现了连续冷量的可调,符合长晶阶段的散热需求;而加热融化阶段,底部隔热移门完全关闭,起到了一定隔热效果,进一步降低炉热量的散失,实现炉节能效果。
发明专利 CN201710893716.2
摘要:本发明公开一种多晶硅铸锭炉的组合式加热器,包括支架、顶部加热器、侧部加热器以及石墨电极组件;侧部加热器包括设置在支架侧面上的多个侧部加热模块,支架的每个侧面设置一个侧部加热模块,每个侧部加热模块由多个发热单元组合而成;每个侧部加热模块中的发热单元从下到上分成若干组加热组件;侧部加热模块在同一高度上的加热组件的总电阻值相同,同一侧部加热模块中的各个加热组件的总电阻值从下到上呈由小到大分布。所述组合式加热器能够在竖直方向上形成稳定的温度梯度,并且该温度梯度的控制更加方便和精确。本发明还公开一种多晶硅铸锭炉,该多晶硅铸锭炉在组合式加热器的作用下获得理想的温度分布梯度,从而能够获得更高品质的硅锭。
发明专利 CN201710872648.1
摘要:本发明公开了一种晶体生长炉电源用水循环装置,其结构包括底座、进水口、冷却器、容水器、水净化装置、二次过滤容水器、出水口、冷热交换器、压力表,所述底座为长方体结构,所述底座上面设有容水器,所述底座通过容水器与水净化装置连为一体,所述底座与容水器采用过盈配合方式活动连接,所述容水器下半部分设有进水口,本发明一种晶体生长炉电源用水循环装置,通过净化装置将水里面含有的杂质和携带的一些有害物质过滤排放,从而不会影响二次使用,同时还节约了水资源。
发明专利 CN201710872708.X
摘要:本发明公开了一种承载量大且易码放晶棒升降车,包括底座,所述底座的顶部焊接有立柱,所述立柱上开设有两个对称设置的第一通孔,两个第一通孔均转动安装有转轴,所述转轴的两端均延伸至立柱的两侧并固定套设有转轮,位于立柱同一侧的两个转轮上固定套设有同一个转动件,所述立柱的两侧均开设有第一凹槽。本发明结构简单,使用方便,通过拉环可以带动固定柱进行移动,然后拉动第二升降板就可以带动连接板在第二嵌入槽内进行移动,从而可以增加第一升降板与第二升降板之间的距离,并使得放置晶棒的面积增大,通过将卡块卡进第一凹槽内,并使得卡柱卡进第一嵌入槽内,从而使得码放带便于对晶棒进行码放。
发明专利 CN201710868551.3
摘要:本申请涉及单晶硅生产设备技术领域,尤其涉及一种平衡调节型绕线装置。该平衡调节型绕线装置包括基座、电机、绕线机构和平衡机构。该绕线机构包括滚珠花键、绕线轮和固定螺母。该绕线机构的绕线轮在转动绕线的同时,会在固定螺母的作用下沿滚珠花键的轴向运动。该平衡机构包括丝杆、导向杆和平衡块,该丝杆与滚珠花键通过同步带连接。该平衡机构能够在绕线轮沿轴向运动的过程中,带动平衡块向与绕线轮相反的方向运动,使该绕线装置的重心保持不变,以保证绕线装置运行的稳定性。
发明专利 CN201710859271.6
摘要:本发明涉及单晶硅生产设备领域,旨在提供一种单晶炉可提升水冷热屏装置。该种单晶炉可提升水冷热屏装置包括热屏提升装置、水冷热屏、热屏上环、热屏下环、热屏外环、热场上保温盖、快卸螺母、浸液保护装置,用于设置在单晶炉炉体内石英坩埚的上方。本发明采用水冷热屏替换原单晶炉中的热屏内环,水冷热屏底部能与液面之间形成比较小的距离空间,在距离液面较近的区域带走热量;且其余水冷热屏和原先石墨热屏内环尺寸一致,不会对其气流等产生影。
发明专利 CN201710853752.6
发明专利 CN201710831103.6
南通大学 2017-09-15
摘要:本发明涉及籽晶技术领域,具体为一种籽晶块,两个所述套管相向的一端连接有圆环,同侧所述横杆相向的一端的中部连接有连接杆,所述连接杆远离横杆的一端铰接有压杆,所述横杆靠近圆环的一端开设有孔,所述活塞杆穿过孔与压杆连接,所述籽晶本体一端的上下两端开设有凹槽,籽晶本体对称设置有两个,籽晶本体依次穿过套管和圆环到达弹性套管的内腔,横杆远离压杆的一端连接有伸出块,所述伸出块的靠近弹性套管的一端铰接有铰接杆,所述铰接杆的另一端铰接有固定在弹性套管表面的压环,所述弹性套管的内壁开设有多个圆弧槽,所述圆弧槽内插接有电热片。本发明具有结构简单、操作方便、压合牢固等特点。
发明专利 CN201710824868.7
摘要:本发明公开了一种多晶硅铸锭炉,包括炉体,所述炉体内壁的顶部固定镶嵌有连接管,所述炉体内壁底部开设圆孔,圆孔内转动连接转轴,所述转轴的上端固定连接有导热块,所述导热块的上表面固定连接有坩埚护板,所述坩埚护板的内壁与坩埚的表面固定连接,所述坩埚护板的表面与大轴承的内壁固定连接,所述大轴承的外部固定套接有圆筒,所述圆筒的内壁转动连接扇叶,所述圆筒的表面开设有齿槽,所述齿槽啮合有齿轮,所述炉体内壁的一侧面固定连接有连接块。本发明通过设置圆筒、三相异步电机、通孔、活塞、进气管、弹簧和滚轮,解决了目前多晶硅铸锭炉大都采用氩气环流保护硅锭,氩气用量较大,造成资源浪费的问题。
发明专利 CN201710824859.8
摘要:本发明涉及多晶硅生产设备技术领域,且公开了一种多晶硅铸锭炉,包括铸锭炉,铸锭炉的顶部设置有拉杆,拉杆的一端固定连接有炉胆,炉胆一侧的内壁固定连接有横向红外线加热器,炉胆的底部设置有保温托板,保温托板的表面开设有通孔,保温托板的顶部固定连接有支杆,支杆的顶部固定连接有石墨底板。本发明,通过氩气管的出口与硅液层水平面夹角为35至45度,氩气管中的氩气既可以使硅液层转动,从而使硅液层中含有的杂质在硅液层中得到充分扩散,避免凝固后的铸锭中存在杂质富集区,保证铸锭的电阻率分布均匀,通过通孔、导热孔和抽真空泵可以将铸锭炉中的氧气和水蒸气排出,防止氧气或者水蒸气与硅液层产生化学反应。
发明专利 CN201710816537.9
摘要:本发明涉及一种用于原料升华可控的氮化铝晶体生长装置及使用方法,在氮化铝晶体籽晶长时间生长过程中,通过在坩埚下方、侧加热器2内部设置可移动的底部加热器,实现坩埚顶部温度、坩埚底部温度以及坩埚内部温度分布的可控调节,达到第一坩埚底部温度为坩埚中的最高温度,原料传输方向完全向上,在恒定的料面间距上,原料高度随着晶体厚度增加而逐渐降低;第二晶体表面的温度恒定,过饱和度不随着晶体生长而改变,晶体生长稳定;第三在坩埚底温度最高和晶体表面温度一定的情况下,通过两个加热器的配合实现原料的稳定输运,技术效果是形成籽晶表面稳定的过饱和度以及原料稳定的升华与输运过程,提高晶体生长稳定性,达到生长高晶体质量氮化铝的目的。
发明专利 CN201710816539.8
摘要:本发明涉及一种PVT法氮化铝晶体生长炉用复合保温屏及生成方法,该复合保温屏是由5~10个单层复合保温屏通过钨螺栓固定连接而成,单层复合保温屏包含钨屏和其上沉积的AlN纤维层。单层复合保温屏生成方法为在氮化铝晶体生长炉中,钨屏放置在冷端,温度范围为1750~1950℃,AlN源放置在热端,温度范围为2000~2300℃,氮气压力设置为500mbar,加热时间2‑10小时,热端的AlN源沉积到冷端的钨屏上,钨屏上形成AlN纤维层;有益效果是保温效果良好,PVT法氮化铝籽晶生长钨炉的功率稳定,热场有效区域的温度高达2400℃,满足AlN籽晶生长方式对温度范围界定性的要求。该复合保温屏在100h的热冲击实验中几乎无形变,满足AlN籽晶生长方式对热场稳定性的需求,平均使用寿命在1000h以上。
发明专利 CN201710816709.2
摘要:本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH:H2O2:HF:DIW=1:2:3:5的腐蚀液中,其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和 25±1%,搅拌均匀,腐蚀液温度保持在50℃‑53℃,每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s,可去除厚度16μm ‑18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定,且腐蚀液温度、有效成分波动小,工艺条件易于控制,腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑,质量好,适用于批量生产。
发明专利 CN201710811292.0
浙江爱旭太阳能科技有限公司 广东爱康太阳能科技有限公司 2017-09-11
摘要:本发明公开了一种硅片单面刻蚀装置,包括刻蚀室,循环泵和药液管道;所述刻蚀室内设置一个用于承托硅片的旋转工作台,在旋转工作台上方设有喷淋装置;喷淋装置与药液管道连通,刻蚀室底部设有出水口,出水口与循环泵通过药液管道连通;所述旋转工作台包括旋转驱动装置、抽真空装置和托板,所述托板与旋转驱动装置的转轴连接以使托板随转轴旋转而旋转,所述托板包括托板本体,空腔和真空吸附孔,空腔位于托板本体的内部,真空吸附孔与空腔相连且真空吸附孔贯穿至托板本体上表面,空腔与抽真空装置相连通。采用本发明,实现硅片单面刻蚀,可控制硅片刻蚀速度和刻蚀深度,设备结构简单,成本低,易于实现量产。
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