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发明专利 CN201810497859.6
摘要:本发明公开了一种太阳能电池片用表面织构液,按重量份,包括以下组分:硝酸铈0.06‑0.15份;过硫酸铵溶液1.2‑2.5份;乳化剂0.13‑0.18份;十二烷基硫酸钠0.12‑0.25份;氢氧化钠3.5‑5.5份;栲胶0.13‑0.19份;月桂醇聚氧乙烯醚0.12‑0.18份;二甘醇单丁醚0.11‑0.16份;微孔淀粉0.13‑0.17份;聚天冬氨酸0.08‑0.12份;无患子皂乳0.07‑0.15份;氢氧化钠3.5‑5.8份;柠檬酸0.35‑0.55份;麦芽糊精0.07‑0.15份;黄腐酸钾0.15‑0.25份;聚乙二醇单甲醚0.13‑0.22份;水80‑130份,所述太阳能电池片用表面织构液成分组成简单,制作成本低廉,制作工艺简单,而且有效提高电池片的织构的效果和成品质量,而且节约成本,因而实用性和经济效果高。
发明专利 CN201810496028.7
摘要:本申请提供的一种复合式侧保温屏,涉及泡生法蓝宝石单晶生长装置技术领域。包括由氧化锆砂砖组成的内筒、由氧化锆纤维砖或钼屏组件组成的中间保温层、由氧化铝空心球砖组成的外筒,三部分共同形成具有保温、隔热效果的复合式侧保温屏。氧化锆砂砖保温性能好,机械性能好,不易变形,使用周期长,成本低,便于安装;氧化锆纤维砖或钼屏可降低热场体系中的温度,保护外层氧化铝空心球砖;氧化铝空心球砖价格便宜,保温性能好;侧保温屏局部位置损坏时,可局部替换,不必整体替换,节约维修成本。通过本申请提供的复合式侧保温屏,能保证热场稳定性,降低蓝宝石长晶成本,节约能耗,延长单晶炉使用寿命,方便安装,具有一定的社会效益。
发明专利 CN201810478832.2
山东大学 2018-05-18
摘要:本发明涉及氧化铪单晶光纤及其制备方法与应用。该晶体的化学组成为稳定剂掺杂的氧化铪单晶。氧化铪单晶光纤是拥有极大纵横比的纤维状氧化铪单晶,兼具氧化铪单晶氧化铪多晶纤维的优点。直径范围:0.5‑1.5mm,长度>12cm。本发明采用激光加热基座法(LHPG)生长氧化铪单晶光纤。其熔点高于2750℃,与现有技术相比,本发明氧化铪单晶光纤具有高热导率、高硬度、高强度、高韧性、极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等优良的物化性能,可用作制备新型的高温传感器。
发明专利 CN201810459170.4
华南师范大学 2018-05-15
摘要:本发明公开了一种锑烯的制备方法,包括以下步骤:在小石英试管中放入体积1/3到1/2纯度为99.99%的Sb粉,将二氧化硅衬底放置在石英舟上,然后将小石英试管和石英舟都放入大石英试管中,再将上述大石英试管水平放置在管式炉中,使装有Sb粉的小石英试管位于加热区,放置有二氧化硅衬底的石英舟位于非加热区;将管式炉中的空气全部排净后保持真空泵打开并在管式炉中一边连续通入N2;设定管式炉程序,使管式炉加热到650℃~700℃内某一温度后,保持该温度30min~120min,再关闭管式炉,使大石英试管在管式炉中冷却至室温后取出,得到生长在二氧化硅衬底上的锑烯材料。利用本发明所述方法制备的锑烯具有大尺寸、晶体质量良好的优点,是一种可控、重复性好的制备方法。
发明专利 CN201810442373.2
摘要:本申请提供一种泡生法生长蓝宝石晶体的方法,包括装料、加热化料、引晶、扩肩生长、等径生长、收尾生长、提脱以及降温冷却阶段。在扩肩生长过程中,扩肩长速不超过晶体重量的5%~10%,拉速为0.1~1mm/h,当晶体重量为500g~1000g时,瞬时向上提拉2mm,晶体重量为1200g~1800g时,瞬时向上提拉2mm。在收尾生长阶段,晶体重量达到目标重量的70%~80%后,晶体重量曲线变为波浪线时,继续生长H小时后,再进入提脱阶段。采用了瞬时提拉的扩肩生长工艺和底部不提拉的收尾生长工艺,有效的缓解了晶体肩部锥状和底部馒头状气泡的形成和增大,适用于大尺寸蓝宝石生长,提高了蓝宝石晶体生长质量。另外瞬时提拉的扩肩工艺有助于晶体的圆形生长,同时切断了晶体表面晶界线,有利于改善晶体质量。
发明专利 CN201810408768.0
摘要:本申请公开了一种单晶金刚石合成装置,包括微波源、等离子体耦合装置和谐振装置,所述谐振装置包括一谐振腔,所述谐振腔内具有一金刚石生长面,等离子体耦合装置能够将来自所述微波源的微波在金刚石生长面的下方激发形成等离子体。本申请还公开了一种单晶金刚石合成方法。本发明通过在基片下表面沉积金刚石薄膜,可以有效的解决金刚石生产过程中的杂质污染。
发明专利 CN201810397864.X
摘要:本发明涉及一种多晶硅铸锭用坩埚,由若干石墨板拼接而成,所述石墨板的内表面复合有氮化硅涂层,相邻石墨板之间通过石墨螺丝和/或石墨加固块来连接或固定,相邻石墨板连接的接缝处喷涂有氮化硅涂层。本发明的坩埚采用石墨板拼接而成,不但可重复使用,而且由于石墨的高温强度高,在铸锭过程中可不用石墨板护板来支持,大大节约了铸锭成本;由于石墨导热性好,且不易与硅反应的特点,因而解决了熔融石英坩埚存在的漏硅率高、氧含量偏高引起的衰减、侧面红区及底部红区偏长的问题,铸锭周期可缩短约18小时以上,每月可多生产近3个硅锭,大大提高了铸锭效率。
发明专利 CN201810397451.1
摘要:本发明涉及一种多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法,包含熔融石英和导热助剂,所述导热助剂为碳化硅、氧化铝中的一种或二者的复配,所述熔融石英与导热助剂的重量比为(1~3):1。本发明的有益效果是:本发明提供的坩埚具有良好的导热性能,与现有市场上的熔融石英坩埚相比,热导率提升了40%以上,不但改善了长晶的品质,而且缩短了长晶周期,大幅提高了铸锭炉的铸锭产能。
发明专利 CN201810390126.2
摘要:一种石墨电阻加热SiC晶体生长炉,包括炉腔、坩埚和加热单元,炉腔的上端和下端分别设置有上法兰盖和下法兰盖,上法兰盖上设置有上炉盖;坩埚设置在炉腔中,坩埚上部设有籽晶盖,坩埚的上方和下方均设置有保温毡,坩埚的外部自下至上设置至少一段石墨加热单元,石墨加热单元为石墨电阻加热,每段石墨加热单元独立设置加热功率控制装置,各段加热单元的外围设置有保温层。该生长炉采用多段石墨电阻加热,能够方便的进行晶体生长温场调控,包括生长界面前沿的温度梯度以及生长恒温区间的长度,可以用于生长高质量大尺寸的SiC晶体,可以大大提高产品的直径和厚度,大大提高SiC晶体的利用率,从而降低SiC晶体的生长成本。
发明专利 CN201810376647.2
摘要:本发明涉及一种固定蓝宝石单晶炉热场的支架结构,该结构整体由上部圆形支撑板结构、下部圆形支撑板结构和中间连接结构组成。上、下圆形支撑板结构均为不锈钢板围成圆筒状,分内外两层,中间采用不锈钢圆管进行焊接支撑,同时在内外两侧圆形不锈钢筒的两端向内部进行梯形倒角设计;中间连接结构采用不锈钢圆管固定连接上部和下部圆形支撑板结构。本发明支架结构可以将单晶炉内的热场结构固定,避免热场结构在高温情况下发生形变和位移,致使热场不对称,防止晶体出现粘埚及其它缺陷,更利于大尺寸、高品质蓝宝石单晶的生长。
发明专利 CN201810380448.9
张格梅 2018-04-25
摘要:本发明公开了一种使用源金属制备多元化合物块晶的装置及方法,所述源金属液化器位于高压气液混合雾化器之上,所述高压气液混合雾化器位于金属液回收系统之上,所述筛选器位于金属液回收系统的中部及以上,所述颗粒预处理器的进口与筛选器的出口连接,所述颗粒预处理器的出口与化合物反应器的入口相连,所述沉积生长器位于化合物反应器的底部。本发明使用高纯度源金属,使其熔化、液化,对液态金属通过气液混合、高压雾化,使液态金属转化为超细微的金属微滴。超细微的金属微滴进入化学物反应器,与反应气体进行反应,使其转化成化合物晶粒,而后堆积、热生长在设定的沉积槽(有衬底或无衬底)内,形成化合物块状晶体。
发明专利 CN201810380438.5
张格梅 2018-04-25
摘要:本发明公开了一种制备高温化合物块晶的方法,对源金属进行抽真空、高温熔化处理,使其成为液态金属;气/液混合、多级高压碎化,使液态金属形成雾化的金属液滴;筛选超细微金属液滴,导入超细微金属液滴进入球形化处理系统,而较大的金属液滴下落至金属液回收系统的底部;下落的金属液滴聚集在一起,经过回收,重新处理;超细微金属液滴通过处理,成为球形液滴/颗粒;超细微金属液滴/颗粒在反应、沉积系统内,通过化学反应、气相沉积,缓慢堆积、生长,形成圆柱状化合物块晶。
发明专利 CN201810368966.9
西南大学 2018-04-23
摘要:本发明公开了一种镓烯的制备方法,其包括如下步骤:1)对Si衬底依次进行清洗、除气和退火处理,得到Si(111)‑7×7表面;2)加热镓源使镓原子以热蒸发的形式生长到Si(111)‑7×7表面,再进行原位退火处理,在Si(111)‑7×7表面上重构形成√3×√3‑Ga表面;3)调节衬底的温度为30~60℃,加热镓源使镓原子以热蒸发的形式生长到√3×√3‑Ga表面,生成过渡层;4)调节衬底的温度为室温,加热镓源使镓原子以热蒸发的形式生长到过渡层表面,形成呈六角蜂窝结构的单原子层的镓烯。其利用分子束外延技术,在超高真空环境下,制备出单原子层的镓烯,利于镓烯微观结构与性质的研究。
发明专利 CN201810360199.7
周俭 2018-04-20
摘要:本发明公开了一种单晶硅坩埚,包括坩埚部本体,配置为盛放石英坩埚;所述坩埚部包括第一坩埚单元,配置为坩埚部的底部;第二坩埚单元,与第一坩埚单元连接,形成坩埚部的侧壁;孔单元,设置于第二坩埚单元,连通坩埚部的内外空间;孔单元在第二坩埚单元圆周方向上所占的比例,自坩埚部底部一侧向另一侧逐渐增大。本发明采用碳‑碳复合材料作为坩埚侧壁,减少侧壁厚度,增大坩埚的容积,提高了单晶硅的产量;侧壁孔单元的设置,提高了加热器发热体对石英坩埚及硅熔体的热量传递,通过在侧壁上设置不同尺寸、不同形状或者分布密度不同的孔单元,可以有效控制硅熔体内部温度梯度的分布,控制硅熔体的对流,从而降低单晶硅的氧含量。
发明专利 CN201810353440.3
武汉大学 2018-04-19
摘要:本发明提供一种高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置。本发明所提供的生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于微波谐振腔中的基片台上;将含有碳源和氢气的反应气体通过喷头送入激光解离腔内进行充分电离;在基片台和喷头之间施加电场;然后将电离后的气体通入微波谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长单晶金刚石。装置包括:气相沉积部,包含:微波谐振腔,基片台,以及与微波谐振腔相连的微波发生器;激光解离部,包含:与微波谐振腔相连通的激光解离腔,将反应气体送入激光解离腔内的喷头,激光器,以及连通激光解离腔和微波谐振腔的连接管;以及电场施加部,与基片台和喷头相连,施加外电场。
发明专利 CN201810353439.0
武汉大学 2018-04-19
摘要:本发明提供一种单晶金刚石生长方法和装置,能够实现大尺寸单晶金刚石的快速生长。本发明所提供的单晶金刚石生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于谐振腔中;将含有碳源和氢气的反应气体通入电离腔中进行充分电离,然后将电离后的气体通入谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长金刚石。装置包括:气相沉积部,包含:用于金刚石外延生长的谐振腔,设置在谐振腔中、用于放置金刚石外延衬底的基片台,以及与谐振腔相连的微波发生器;和电离部,包含:与谐振腔相连通的电离腔,分别设置在电离腔的出口端和入口端的两块电极,以及设置在电离腔外围、对电离腔进行冷却的冷却腔。
发明专利 CN201810332678.8
摘要:本发明提供一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法,包括S11:加料,将多晶硅、掺杂物和掺氮单晶硅回收料作为原料装入坩埚内;S12:熔化,加热,使所述坩埚内的原料熔化。本发明的有益效果是与现有的通入氮气的掺氮方式相比,本发明采用掺氮单晶硅回收料作为掺氮原料,节省了原材料,降低了生产成本,采用掺氮单晶硅回收料,利用固态的氮,不影响成晶,并且改善了电池端的性能。
发明专利 CN201810332704.7
摘要:本发明提供一种随动冷却装置,包括随动冷却主体、进水管、出水管和导热层,进水管与出水管对称设于随动冷却主体的两侧,导热层设于随动冷却主体的内表面。本发明的有益效果是该随动冷却装置能够跟随单晶的生长而上升,且在内壁表面设有导热层,该导热层为耐高温导热纤维,使得随动冷却装置能够与单晶接触,但不影响单晶旋转上升,跟随单晶的旋转上升而上升,在上升过程中对单晶进行热传导,保证单晶的质量,提高工作效率。
发明专利 CN201810332692.8
摘要:本发明提供一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘,包括:氮气供给通道,包括质量流量控制器,用于控制通入氮气的流量;氩气供给通道,用于通入氩气;总配通道,与所述氮气供给通道和所述氩气供给通道均连通,根据所述通入氮气和所述通入氩气的流量进行配比,将配比后的气体通出,并且提供一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘的方法,本发明的有益效果是可以通过工艺参数任意调节氮气、氩气的流量比例,实现氮气、氩气的平稳切换,通过电磁阀的作用防止意外发生,增加了氮气拉晶的安全性。
发明专利 CN201810327464.1
摘要:本发明涉及一种单晶炉冷却水的分水器结构,该结构整体由进水管阀门,分水管,支架,支路水嘴,冷却水收集器和水温传感器组成。其特征在于进水管阀门连接主进水管和分水管;分水管上安装支路水嘴,整体固定在支架的上方;支路水嘴焊接到分水管上,呈“一”字型排列;冷却水收集器焊接在支架上;水温传感器安装在出水管的水嘴处。该分水器结构可以逐一监测各路冷却水水温,集中处理出水端冷却水,同时各支路水嘴可以自由调节水流量的大小,方便对水温的调控,使单晶炉内的温度梯度更合理,利于大尺寸蓝宝石单晶的生长。
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