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发明专利 CN201710580748.7
晶科能源有限公司 浙江晶科能源有限公司 2017-07-17
摘要:本申请公开了一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法,该大尺寸类单晶籽晶包括多个紧密排列的籽晶单体,所有的所述籽晶单体的预设位置以上熔接成一体式,且所述籽晶单体的预设位置以下具有拼接缝,该制作方法包括制作多个籽晶单体;将所述籽晶单体紧密排列在坩埚底部;利用半熔工艺对所述籽晶单体的表面进行微熔;当微熔至所述籽晶单体的预设位置之后,开始定向凝固,固液界面上移直至所有的籽晶单体结晶。上述大尺寸类单晶籽晶及其制作方法,能够杜绝拼接缝对铸锭的影响,有效的阻止多晶硅在类单晶铸锭过程中形核。
发明专利 CN201710583671.9
南开大学 天津博苑高新材料有限公司 2017-07-13
摘要:一种利用研磨法可控合成钛酸盐纳米线及其转化为二氧化钛纳米线的方法,包括以下步骤:1)取锐钛矿于研钵中研磨,加入碱金属氢氧化物研磨至粘稠状;2)将混合物转移至反应釜中于不同温度下反应。反应结束后,冷却至室温,用蒸馏水和乙醇交替洗涤干燥,得到钛酸盐纳米线;3)将上述反应得到的产物在管式炉中煅烧,得到碱金属钛酸盐纳米线;4)收集的产物在盐酸溶液中搅拌酸化,然后管式炉中煅烧,得到最终产物TiO2纳米线。本发明方法制备的钛酸盐纳米线,可用于锂离子电池和光电转化等领域。经热分解得到的TiO2保持了纳米线形貌,并且具有较高的结晶度、比表面积和一定的孔结构,可应用于光催化剂、光电转化和储存装置、生物医学、传感器等领域。
发明专利 CN201710543076.2
西安交通大学 2017-07-05
摘要:本发明公开了一种力学性能优良的形状记忆合金及其制备方法,包括合金基体以及分散于合金基体中的气泡,该形状记忆合金在微纳米尺度下具有较高的相变转变应力、良好的超弹性性能及较好的变形稳定性,并且制备方法简单。
发明专利 CN201710531416.X
摘要:本发明公开了一种用于蓝色单晶蓝钢玉的焙烧筒,包括出料口、转轴和翻转叶片,所述筒体的外部套设有两处轮带,所述轮带的底部与托轮相连接,所述托轮与减速电机转动连接,所述减速电机固定安装于底座的顶部,所述进料口设于筒体的左端外侧,所述筒体的左端设有进气管,所述筒体的右端设有排气管,所述筒体的右端外侧固定安装有翻转电机,所述筒体的右端设有出料口。本发明采用轮带带动筒体旋转,并利用筒体内部的翻转叶片将原料反复抄起,使电加热炉壁对原料的加热更加均匀,有利于提高产品质量,并加快生产效率,在焙烧完成后,在气流的作用下,物料向出料口汇集排出,达到出料的目的。
发明专利 CN201710523050.1
北京大学 2017-06-30
摘要:本发明公开了一种制备超平整无褶皱石墨烯单晶的方法。该方法包括:将铜(111)单晶薄膜/蓝宝石对叠,使蓝宝石面在外,铜(111)单晶薄膜面在内,先退火再进行常压化学气相沉积,沉积完毕即在所述铜(111)单晶薄膜表面得到所述石墨烯单晶薄膜。本发明采用超平整铜(111)单晶以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯单晶。超平整石墨烯单晶的平整度达到0.5nm,表面无褶皱,远优于普通铜箔上生长的石墨烯。超平石墨烯具有远优于粗糙石墨烯的性能,包括抗氧化性能和导电性能。
发明专利 CN201710522280.6
摘要:本发明涉及一种纳米尺度激光器阵列的制备方法,特别涉及一种以定向排列的钙钛矿纳米线为增益介质和谐振腔的纳米激光器阵列的制备方法。本发明以一维纳米尺度的定向排列的钙钛矿纳米线为增益介质和谐振腔,成功制备出了平面内定向排列的钙钛矿纳米线,并实现了纳米尺度的激光器阵列,有效解决了高密度光子集成系统中纳米尺度光源的问题。所述定向排列钙钛矿纳米线的化学式为CsPbX3,直径为200‑800nm、长度为10~80μm。其合成方法以CsX和PbX2粉末为原材料,经过退火的M‑Plane蓝宝石为衬底,采用化学气相沉积法制得。本发明对于实现高密度光子集成系统又极其重要的意义。
发明专利 CN201710512958.2
摘要:本发明提供一种Fe3Sn2材料作为磁存储材料的用途。Fe3Sn2材料具有室温磁性斯格明子纳米磁筹结构,能够作为磁存储材料用于磁存储器。
发明专利 CN201710512491.1
摘要:本发明公开的一种制绒槽废酸输送装置,用于对废酸进行分浓度收集,包括氮磷槽、中转桶和分类池,氮磷槽的底部设置有两个开口,中转桶设置有氮磷浓水槽和氮磷清洗水槽,分类池设置有氮磷弄水池和综合池,氮磷槽底部的一个开口与氮磷浓水槽通过氮磷浓水管连接,并且通过抽水泵通过管路与氮磷浓水池连接,氮磷槽底部的另一个开口与氮磷清洗水槽通过氮磷清洗水管连接,并且通过抽水泵通过管路与综合池连接,氮磷浓水管和氮磷清洗水管上分别设置有第一阀门和第二阀门。本发明结构简单,操作方便,实现不同浓度分类收集,节约了处理成本。
发明专利 CN201710505122.X
摘要:本发明涉及光伏电池制作技术领域,尤其为一种改善制绒机补液均匀性的方法,包括以下步骤:步骤一、控制增补间隙:间隔一定量硅片数时,同步补入HF和HNO3;步骤二、控制增补变量:对步骤一中同步补入的HF量和HNO3量进行变量控制;其中,步骤一和步骤二均分别通过定量磁致伸缩线性液位变送器控制。本发明能有效改善补液桶向槽体内部补液的均匀稳定性,不会在补液后必须等待液位回到初始位置才补液,确保硅片在更加均匀且趋于稳定的溶液体系内反应,能够有效的控制制绒机的制绒槽内的药液比例,有效的减少制绒药液补入波动对绒面的影响,降低绒面波动对颜色和成品效率的影响,提高了优质出品率,非常值得推广。
发明专利 CN201710510694.7
摘要:本发明涉及一种单晶硅片绒面的制备方法,属于光电技术领域。本发明先将单晶硅片进行表面清洗,清洗后在绒面处理剂1中进行浸泡,再在绒面处理剂2中进行腐蚀浸泡,进行第一次化学腐蚀制绒处理,再将第一次制绒后的硅片放入培养基中,利用微生物在单晶硅片表面沉积纳米粒子,从而进一步提高形成凹凸不平的孔洞状表面形态,得到具有良好光陷阱作用和减反射效果的多晶硅绒面,提高单晶硅太阳电池的光电转换效率,并且这种绒面结构的形成,可以大幅度增加硅片的表面积,有利于对太阳光的充分吸收。
发明专利 CN201710499917.4
上海交通大学 2017-06-27
摘要:本发明涉及一种单分散聚苯乙烯微球及其制备方法与应用,聚苯乙烯微球是以苯乙烯为主要单体,采用N‑异丙基丙烯酰胺与乙烯基吡啶作为共聚单体,或者采用N‑异丙基丙烯酰胺与1‑乙烯基咪唑作为共聚单体,通过无皂乳液聚合反应制备而成;制备时,将苯乙烯与N‑异丙基丙烯酰胺加入到盛有水的反应容器中,再加入乙烯基吡啶或1‑乙烯基咪唑,通入惰性气体,升温至60‑85℃,恒温3‑10分钟,再加入引发剂,依苯乙烯的加入量,反应4‑48小时即可;可用于制备乳胶漆、变色油墨以及光子晶体器件。与现有技术相比,本发明制得的聚苯乙烯微球单分散性好,在不添加其它助剂的条件下,可制备颜色鲜艳的光子晶体膜,且光子晶体膜的颜色随着观察角度的变化而变化。
发明专利 CN201710493434.3
摘要:本发明公开了一种消除激光3D打印单晶高温合金再结晶倾向的方法,属于激光增材制造和单晶高温合金制备领域。本发明利用激光3D打印作为加工工艺,通过控制工艺参数使得激光成形的枝晶组织在单晶高温合金基材上实现外延生长。同时控制打印过程的温度场,使得3D打印的单晶高温合金零件中的残余应力处于较低水平,彻底消除激光3D打印单晶高温合金中的再结晶倾向。本发明可以用于制备大尺寸的无再结晶倾向的单晶高温合金,在此基础上可使用激光3D打印制备单晶高温合金叶片。
发明专利 CN201710496573.1
张兆民 2017-06-26
摘要:本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域,特别是一种多晶硅片生产工艺,包括以下步骤,(1)选料,选择纯度好的工业硅;(2)硅锭凝固,将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭;(3)去除杂质,去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分;(4)硅锭二次凝固,进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭;(5)二次去杂,去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分;(6)多晶硅生成,在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质,生成多晶硅;(7)切片,将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。采用上述工艺后,本发明极大的去除了多晶硅中的杂质;另外,在去除硼杂质的过程中逐步升温,有效提升了去除硼杂质的效果。
发明专利 CN201710496574.6
张兆民 2017-06-26
摘要:本发明涉及单晶炉生产技术领域,特别是一种单晶炉气体供应系统,包括PLC控制器,还包括传感器单元,所述传感器单元与PLC控制器输入端相连接,所述PLC控制器输出端分别与电磁阀、供气泵和报警器相连接;所述PLC控制器由电源供电,所述PLC控制器的输出端还连接有显示灯,所述PLC控制器输入端还连接有起/停按钮。采用上述结构后,本发明可以通过PLC控制器根据传感数据自动实现对单晶炉的恒压供气,也可以切换到手动模式,自主的对单晶炉进行供气,这样手/自动配合提升了供气效率,也满足了不同单晶炉拉晶的差异需求。
发明专利 CN201710496575.0
张兆民 2017-06-26
摘要:本发明涉及单晶硅生产领域,特别是一种太阳能电池用单晶硅制备方法,包括以下步骤,物料准备,将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中;熔化,当装料结束关闭单晶炉门后,抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内,驱动石墨加热系统的电源,加热至1400‑1530℃,使多晶硅和掺杂物熔化;引晶;缩径;等径生长。采用上述方法后,本发明的太阳能电池用单晶硅制备方法,在采用由同一坩埚中的原料熔体进行缩径和等径生产,可以有效的减少单晶硅的位错的产生;另外,进行收尾工作,进一步的防止位错的反延。
发明专利 CN201710496489.X
陕西科技大学 2017-06-26
摘要:本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法,以二氯化锡为锡源,硒粉为硒源,将二氯化锡和螯合剂溶解在水中,得到溶液A;将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中,获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应,即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法,通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段,完成硒化亚锡纳米晶的生长,最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶,反应温度为室温,操作简单,反应时间短,容易控制;本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶,具有较为尖锐的纳米尖端,获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
发明专利 CN201710496812.3
张兆民 2017-06-26
摘要:本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域,特别是一种多晶硅片的制绒工艺,包括以下步骤,(1)切片,将原料硅片切成片状;(2)酸制绒,在含有硝酸、氢氟酸、醋酸和去离子水的混合液中进行酸制绒;(3)在氢氧化钾溶液中进行碱制绒;(4)在含有盐酸和氢氟酸的混合液中进行酸洗;(5)清洗并烘干;(6)分光光度计测量。采用上述工艺后,本发明在多晶硅片的制绒过程中加入了醋酸,可以在更广泛的范围内稀释溶液而保持硝酸的氧化能力,可使腐蚀液的氧化能力在反应过程中保持相对稳定;同时,减小了氢离子浓度使得阴极反应变慢,可使整个腐蚀反应速率随之变慢,更有利于形成腐蚀坑。
发明专利 CN201710496818.0
张兆民 2017-06-26
摘要:本发明涉及单晶硅制绒技术领域,特别是一种单晶硅制绒添加剂,按照质量份数计包括以下组分:按照质量份数计包括以下组分:十二烷基苯磺酸钠13‑18份,聚氧乙烯胺4‑9份,乙二胺四乙酸钠10‑15份,三聚磷酸钠8‑13份,硅酸钠12‑16份,碳酸丙烯酯20‑25份,苯甲酸钠5‑15份,亚甲基二萘磺酸钠15‑25份。采用上述配方后,本发明的单晶硅制绒添加剂具有表面活性剂所特有的润湿、渗透、乳化、分散和去污性能,可以进一步降低硅片的表面反射率,提高晶体硅太阳电池的光电转换效率。
发明专利 CN201710486048.1
摘要:本发明提供了一种金刚线太阳能电池片的制绒工艺及扩散工艺。它解决了现有常规化学法其减反射效果并不显著;黑硅工艺全套工艺匹配下来,成本增加了数十倍以上,且现有的扩散工艺存在与多晶金刚线制绒工艺不匹配等技术问题。本金刚线太阳能电池片的制绒工艺,包括如下步骤:a、制绒;b、超纯水清洗硅片表面;c、碱洗;d、超纯水清洗硅片表面;e、氢氟酸和盐酸的混合酸溶液清洗;f、超纯水清洗并烘干。本发明具有多晶硅反射率低的优点。
发明专利 CN201710468013.5
摘要:本发明公开了一种垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备,包括炉体、支撑炉体的支架,以及向炉体内送料的送料机构,所述炉体包括:内管,为立式设置的石英管;外管,为石英管,同轴线地嵌套在内管外,并与内管间留有给定距离,而形成中间空间,且外管表面镀有隔热镀层;隔热件,位于中间空间上下方向的中间,内管位于隔热件上部的空间为高温区,位于隔热件下部的空间为低温区,隔热件所处的区域为梯度区;以及加热器,位于中间空间,包括用于对高温区加热的上加热器和用于对低温区加热的下加热器。依据本发明炉体结构相对紧凑、重量相对较小。
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