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发明专利 CN201710546745.1
摘要:本发明公开了一种MEMS芯片与ASIC芯片集成封装的封装结构及封装方法,所述封装结构包括:MEMS芯片,所述MEMS芯片具有相对正面以及背面;ASIC芯片,所述ASIC芯片具有相对正面以及背面;所述ASIC芯片的正面与所述MEMS芯片的背面贴合固定,且所述ASIC芯片与所述MEMS芯片电连接;所述ASIC芯片背离所述MEMS芯片的一侧设置有第一焊接凸起,所述第一焊接凸起用于与外部电路连接;盖板,具有收容腔,所述盖板设置于所述ASIC芯片上,所述MEMS芯片位于所述收容腔内,且所述盖板与所述ASIC芯片密封连接。本发明技术方案提供的MEMS芯片与ASIC芯片的封装结构简单,且制作成本低。
发明专利 CN201710548247.0
摘要:本发明公开了一种新的特氟龙加工装置及工艺,包括同步辐射光源、喷嘴、光束整形器、加热板,其中:同步辐射光源位于喷嘴前端,光束整形器位于加热板的中心位置,加热板上的电阻丝采用钨电阻丝,加热板基片采用玻璃材料,能使加热丝绝缘。同步辐射光源产生的同步辐射光,通过喷嘴汇聚在光束整形器上,形成一束较细的同步辐射光束,照射到特氟龙加工件上进行特氟龙微加工,同时使加热板贴近特氟龙工件对特氟龙工件实行局部加热,实现快速加工。
发明专利 CN201710492171.4
电子科技大学 2017-06-26
摘要:本发明提供了一种自供能传感器及其制备方法,属于传感器技术领域。本发明结构其结构由下至上依次包括层叠的多孔基片、第一银纳米线薄膜、P型多孔导电聚合物、多孔热释电薄膜、N型多孔导电聚合物和第二银纳米线薄膜。本发明自供能传感器采用多孔热释电薄膜材料同时作为敏感单元和能量采集单元,避免了制备不同功能薄膜时各功能薄膜之间所存在的成膜工艺不匹配、成膜不均匀和相容性不好的问题;本发明器件结构设计合理,能够协同实现能量采集与产生气敏信号,使得器件结构高度集成且提高了气敏单元的灵敏度;此外,本发明制备工艺简单可控、成本低廉,在柔性电子器件具有广阔的应用前景。
发明专利 CN201710468911.0
南京邮电大学 2017-06-20
摘要:本发明公开了一种多方向的压电超声发生器及其制备方法,是一种结构简单,操作容易,方向性可调,且便于集成的超声发生器及其制备方法。该超声发生器以硅为衬底,在衬底上设有三角形桥墩、三个独立的MEMS悬臂梁、压电材料、MEMS悬臂梁下拉电极。本发明既可以对三个MEMS悬臂梁下拉电极同时施加相同大小的电压,也可以通过选择不同组合方式对MEMS悬臂梁下拉电极单独的施加电压,共有七种组合方式来实现压电超声发生器的方向性选择。
发明专利 CN201710462649.9
鲁东大学 2017-06-19
摘要:本发明公开了一种中空微通道结构的制备方法,具体涉及微细加工领域。该方法采用光刻技术和热回流技术制作微米尺寸的微通道母版,并利用此母板制作PDMS柔性模板,获得的柔性模板具有与微通道母版互补的图案结构,将PDMS柔性模板紧密粘附在基片表面形成微通道空腔,并在一侧滴注S1813光刻胶,光刻胶在毛细力的作用下填充微通道空腔,填充较长时间后进行加热,微腔内的光刻胶发生回流,而与微腔内壁相接触的光刻胶将附着在内壁上,冷却固化并揭掉PDMS柔性模板后,就在基片表面上得到了中空微通道结构。本发明与其他制备中空微通道的方法相比,具有成本低廉,工艺简单等优点。本发明适用于微细加工、微流控芯片、生物医药等应用领域。
发明专利 CN201710444180.6
摘要:本发明提供一种膜片结构,所述膜片结构至少包括悬空支撑在单晶硅片上方的膜片和沿所述膜片外围排列的释放孔。本发明另提供一种基于上述膜片结构的压力敏感膜结构,所述压力敏感膜结构包括梁‑岛结构、外框、薄膜、沿外框排布的释放孔和分布在岛上的释放孔。膜片结构的释放孔没有贯穿整个膜片区域,保证了膜片结构的完整性和对称性,具有更好的机械性能,同时膜片中部可以自由地设计各种结构,不需要受释放孔的限制,具有更广阔的应用空间。本发明所述的压力敏感膜结构由上述膜片结构经局部刻蚀减薄加工而成,避免了在脆弱的薄膜区域布置释放孔,在改善机械性能的同时提高可靠性。同时在岛上的释放孔可以显著缩短腐蚀时间,大幅提高成品率。
发明专利 CN201710417321.5
摘要:本发明公开了一种金属/聚合物复合三维微纳米结构的制备方法,属于微纳米加工技术领域。所述方法包括在基底A上旋涂牺牲层,在牺牲层上旋涂非水溶性聚合物薄膜,形成双层聚合物薄膜;在双层聚合物薄膜的非水溶性聚合物薄膜上制备金属微纳米图案;将牺牲层溶解掉形成无支撑的独立薄膜;用基底B承接漂浮着的独立薄膜,形成复杂的金属/聚合物微纳米结构。通过上述方法制备得到的金属/聚合物微纳米结构分辨率可以达到纳米级别,十分适于低成本、大面积的三维立体结构加工。
发明专利 CN201710413626.9
东南大学 2017-06-05
摘要:本发明是一种纳米位移执行器,在衬底(3)的上表面依次设有氧化石墨烯薄膜(2)、薄膜上方承载面(1)构成一个位移传动的承载体,其中薄膜上方承载面作为位移传动的承载面;在所述位移传动的承载体的两端分别设有左密封腔体的密闭墙(4)、右密封腔体的密闭墙(5),在左密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输出控制管道口(6),在右密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输入控制管道口(7),在左密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有左滑动接触装置(8),在右密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有右滑动接触装置(9),该微位移执行器提供一种新颖、高效、适合多种应用场合的途径。
发明专利 CN201710403984.1
摘要:本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的静电执行器及制作方法。该具有静电执行器是以PDMS薄膜作为可以往复运动的高弹性薄膜作为振膜形成执行器部件,与以往全Si静电执行器相比,本发明所述基于PDMS静电执行器不仅可以简化MEMS微泵的加工工艺,降低材料成本,由于其弹性模量比Si小,可降低全Si静电执行器件的驱动电压。
发明专利 CN201710390497.6
清华大学 2017-05-27
摘要:一种微针系统及其制备方法,属于医疗器械技术领域。本发明通过利用低熔点合金作为微针的原材料,常温下呈液态的合金作为导电层的方法制备柔性微针系统。该方法包括:制备柔性硅橡胶基底,制备微针,制备导电层以及制备封装层。微针具有良好的机械强度,可以穿透皮肤角质层,同时柔性的硅橡胶基底可以保证该系统更好地贴合皮肤,增加人体舒适性。本发明的制备方法相比传统方法更加简易快速,避免了材料浪费。本发明可以用于脑电、心电、肌电等生理电信号的检测,可以满足科研和临床的需求。
发明专利 CN201710390893.9
摘要:本发明公开了一种MEMS传感器晶圆、MEMS传感器晶圆的裂片方法,属于MEMS传感器领域。该MEMS传感器晶圆包括若干个纵横排列的MEMS传感器单元;每个MEMS传感器单元的背面设置有一个硅杯,每个硅杯的所在位置对应一个MEMS传感器结构;在MEMS传感器晶圆的背面,任意相邻的两行MEMS传感器单元间存在一条裂片通道,任意相邻的两列MEMS传感器单元间存在一条裂片通道;裂片通道的剖面为等腰三角形,等腰三角形的底边与MEMS传感器晶圆的背面的表面在同一平面;解决了通过机械划片或激光划片时容易造成晶圆上的器件结构损坏、晶圆出片率低的问题;达到了减少划片时的粉尘,提高划片效率和晶圆出片率的效果。
发明专利 CN201710386132.6
摘要:本发明提供了一种MEMS器件结构,包括可动结构、不可动结构、锚点和至少一个限位块;所述可动结构用于在接收到任一方向输入的外部作用力或由自身惯性产生的惯性力后,产生与所述外部作用力和或所述惯性力方向相对的应且相对于所述不可动结构的移动;所述至少一个限位块用于在所述可动结构朝向所述不可动结构移动时,向所述可动结构提供一扭转作用力,使得所述可动结构产生背离所述不可动结构的扭转运动,所述扭转运动使所述可动结构产生扭转变形,以降低可动结构与不可动结构之间的吸附概率,避免可动结构与不可动结构之间吸附现象的发生。
发明专利 CN201710385541.4
摘要:本发明公开了一种压力传感器及其制作方法,具有:电路板,电路板侧边设有向内凹陷的弧形边,电路板上还设有电路板焊盘和定位孔;芯片,其安装在电路板的下部;壳体,壳体内设有第一安装槽,第一安装槽槽底设有第二安装槽,芯片安装在第二安装槽内,第二安装槽的槽底设有通气孔;电路板安装在第一安装槽内;第二安装槽的槽口四周设有台阶;台阶外周设有沟槽,沟槽内灌注硅胶,定位柱与电路板上的定位孔相适配;壳体上还设有插针焊盘,插针焊盘与电路板通过铝丝键合线键合;凝胶,填充第一安装槽,传感器抗腐蚀性良好、长期稳定性好以及过载能力高。
发明专利 CN201710386221.0
摘要:本发明属于微机电技术领域,尤其涉及一种低驱动电压凹面电极静电执行器及制作方法,静电执行器包括:由弹性薄膜作为上电极和由塑性薄膜作为凹面电极,上电极的下表面和凹面电极的上表面之间形成封闭空间;电极或凹面电极的上、下表面均为绝缘薄膜。制作方法包括:分别对具有硅厚度和氧化层厚度的两个SOI片进行、清洗、热氧化、气相沉积氮化层后进行曝光、刻蚀后进行键合,最后通过填充环氧树脂胶并固化收缩效应或通过真空吸盘抽空形成凹面结构。本发明的凹面电极静电执行器可用于泵腔的执行器或主动式阀门的执行器,不仅简化微泵加工工艺,而且能够使以往微泵高于100V的驱动电压降低到几十伏,大大增加了静电式微泵的驱动力。
发明专利 CN201710378413.7
东南大学 2017-05-25
摘要:本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件,包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙;六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上;金属电极为一个以上,均匀设置在玻璃衬底一侧,金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接,SOI盖帽设在玻璃衬底正上方,SOI密封墙设在SOI盖帽和SOI密封墙之间,形成空腔结构;每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔,梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通;梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点,在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测,应用范围广,有着良好的市场前景。
发明专利 CN201710372397.0
摘要:本发明公开了一种AT切型石英晶片MEMS加工方法,包括以下步骤:石英晶片研磨和抛光处理;在抛光后的石英晶片表层蒸发镀或者磁控溅射镀Au薄膜;双面涂覆光刻胶,双面对准使用光罩掩膜版曝光制作图形;对曝光后的石英晶片显影,后烘处理固化图形;通过Au蚀刻液对未被光刻图形保护区域蚀刻,去除多余Au薄膜;使用激光对光刻刻蚀去除Au薄膜区域中心位置进行切割作业;切割后的石英晶片进入由HF和混合组成的腐蚀液中腐蚀,腐蚀后图形由Au光刻图形决定;去除光刻胶层、Au薄膜层。本发明采用腐蚀工艺加工外形,因此产品外形由光刻图形控制,产品精度得到保障,尺寸公差在±3um以内。
发明专利 CN201710381881.X
摘要:本发明涉及一种适合表面贴装工艺的压阻式压力传感器及其制造方法。使用的晶圆结构包括衬底半导体材料和顶层半导体材料及绝缘层,在衬底半导体材料内与绝缘层界面位置设有空腔;顶层半导体材料和衬底半导体材料为反相掺杂;衬底半导体材料上设有电隔离沟槽;被电隔离沟槽包围的衬底半导体材料形成有电接触孔,电接触孔内重掺杂、沉积金属,形成电通道及金属引脚;在顶层半导体材料上形成有压力传感器的压阻条、电学引线区及电学连接孔;电学引线区与部分压阻条及电隔离沟槽包围的衬底半导体材料重合;电连接孔在电学引线区和衬底半导体材料的重合区域内;在电学连接孔内沉积导电层形成电连接通道。本发明的压阻式压力传感器便于后续与相应控制电路(IC)实现三维(3D)封装,成本低。
发明专利 CN201710374845.0
摘要:本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法,涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域;包括第一圆片和第二圆片,第一圆片上设有空腔,第一圆片下部设有键合区,第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合;第二圆片上设有待封装的器件;第一圆片上设有排气通孔,排气通孔与空腔相靠近;方法简单,通过在空腔邻近区域制备排气通孔,可以在很短的时间内,使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
发明专利 CN201710368321.0
摘要:本发明提供了一种MEMS器件及其防吸附方法,包括可动结构、不可动结构和振荡器;所述可动结构包括可动质量块和固定在所述可动质量块上的可动梳齿;所述不可动结构包括不可动基底以及固定在所述不可动基底上的至少两个固定梳齿;所述振荡器用于在所述固定梳齿与所述可动梳齿发生吸附时,向所述可动梳齿和未与所述可动梳齿发生吸附的所述固定梳齿输出振荡信号,以使所述可动梳齿和未与所述可动梳齿发生吸附的所述固定梳齿之间产生静电吸力,使发生吸附的所述固定梳齿和所述可动梳齿分开,从而解决了由于可动梳齿与固定梳齿吸附而影响MEMS器件正常运行的问题。
发明专利 CN201710369702.0
摘要:本发明提供一种MEMS晶片的贴膜对准装置,包括基座、膜托固定区、摇摆臂、吸盘、升降机构、第一限位结构和第二限位结构;膜托固定区,设置于基座的一侧;摇摆臂包括固定杆和支撑臂,固定杆固定于基座的另一侧,支撑臂的轴向垂直于固定杆的轴向,且支撑臂的一端以固定杆为旋转轴旋转连接于固定杆上;吸盘固定于升降机构上,升降机构的升降方向垂直于支撑臂的轴向,升降机构旋转连接于支撑臂的另一端,旋转轴垂直于基座所在平面。实现膜与晶片对准的精确性,避免人工操作对晶片造成的损伤。
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