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发明专利 CN201710893397.5
摘要:本发明公开一种微机电系统麦克风,该微机电系统麦克风包括:上层板,上层板设有进音孔,进音孔的内侧壁设有第一金属层,第一金属层延伸至上层板的上表面;中层板,中层板具有贯穿其上、下表面的容纳空间,容纳空间的内侧壁设有第二金属层,上层板的下表面贴合中层板的上表面,并封堵容纳空间,第一金属层连通第二金属层;以及下层板,下层板贴合中层板的下表面,并封堵容纳空间,下层板设有接地电路,第二金属层连通接地电路。本发明技术方案的微机电系统麦克风能够将外界的静电放电由第一金属层导通至接地电路,而释放,从而减小外界静电干扰对该微机电系统麦克风造成的损坏,起到保护产品的作用,同时起到对射频抗干扰的能力。
发明专利 CN201710805471.3
摘要:本发明提供一种微机电组件的封装构造,包括活塞、推拉杆、圆筒、单向阀一、排气管、进气管、单向阀二、凹槽、插柱、弹性片、铜环、接触片以及盲孔,所述推拉杆左端安装在活塞右端面中间位置,所述进气管右端安装在圆筒左端面下侧,所述单向阀二装配在进气管上,所述单向阀一装配在排气管上,该设计增加了本发明排气的功能,所述弹性片装配在凹槽内部上侧,所述盲孔开设在凹槽内部下端面中间位置,所述接触片安装在盲孔内壁中部位置,所述插柱上端安装在弹性片下端面中间位置,所述铜环装配在插柱环形侧面上,该实现了本发明自我检测的目的,本发明外形美观,实现封装气密性的自我检测,稳定性好,可靠性高。
发明专利 CN201710756992.4
山东大学 2017-08-29
摘要:本发明公开了一种串联环扇形压电三维微伺服平台的结构,包括基体,基体包括中间反光镜,在中间反光镜的外侧设有两个环扇形的第一压电梁基体,在第一压电梁基体的外圈设有两个环扇形的第二压电梁基体;在第一压电梁基体的上表面和第二压电梁基体的上表面各黏贴有第一、第二压电陶瓷片;在两个第二压电陶瓷驱动器加载相反电压时,两个第二压电陶器驱动器弯曲方向相反,进而带动中间的固定环绕y轴转动;在两个第一压电陶瓷驱动器加载相反电压时,两个第一压电陶器驱动器弯曲方向相反,进而带动中间的中间反光镜绕x轴转动;当加载在第二压电陶瓷驱动器或第一压电陶瓷驱动器电压方向相同时,固定环或中间反光镜产生垂直x、y所在平面的垂直位移。
发明专利 CN201710717374.9
叶军 2017-08-21
摘要:本发明公开一种MEMS器件湿法刻蚀工艺,包括如下步骤:刻蚀衬底以形成沟槽,采用等离子气体进行钝化,在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层;去除沟槽底面上的钝化层,对所述硅衬底的下表面进行机械抛光,在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层;使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层,去除光刻胶;去除牺牲层:通过使用液体腐蚀剂进行大范围的横向钻蚀,并留下独立的不需要依靠支撑物的部分,选择性地去除牺牲层;去除衬底减薄荷:由带有化学腐蚀液的物理研磨机制实现均匀的衬底去除和减薄,快速地去除圆片正面或背面的材料。本发明操作简单,低成本及效率高,可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌。
发明专利 CN201710709862.5
摘要:本发明涉及图案化的方法,特别涉及一种纤维素光子晶体图案化的方法,以纤维素纳米晶作为光子晶体的构筑单元;以表面具有亲水图案的材料作为沉积基底;将所述纤维素纳米晶配置成纤维素纳米晶分散液,在所述沉积基底上刮涂,并挥发组装,纤维素纳米晶分散液沉积在所述沉积基底的亲水图案区域,制得图案化纤维素光子晶体;本发明利用等离子束、激光束或印章的方法在基底表面直接引入亲水性图案,然后使用纳米晶纤维素分散液进行刮涂即可图案化,无需额外的打印涂覆过程,可实现连续、大规模的生产;本发明制备的图案化纤维素纳米晶的结构色可调;通过分散液中电解质浓度,可以实现对纤维素纳米晶组装行为的调控,从而改变其结构色,实现多彩显示。
发明专利 CN201710710338.X
西安交通大学 2017-08-18
摘要:基于功能材料微纳三维复杂结构的原位反应直写制造方法,先使用电脑建模软件绘制微纳尺度的三维结构或零件实体模型,设计结构化模板与基板之间的移动路径、速度,并编写控制移动的数控代码;然后在接受平台中注入母液,创造液态的制造环境,母液将参与后续的原位反应以实现原位直写制造;再通过3d制造出微纳尺度的三维结构或零件实体;将微纳尺度的三维结构或零件实体从母液构成的环境中取出,得到具有复杂微纳三维结构或零件实体;或将母液固化,使得微纳尺度的三维结构或零件实体内嵌在固化后的材料中,形成具有一定内部结构的功能材料;本发明极大提高三维微纳制造的精度和分辨率,加快制造的效率,具有工艺简单、成本低、制造周期短等优点。
发明专利 CN201710710320.X
西安交通大学 2017-08-18
摘要:复杂腔体内表面微纳结构的自适应随形制造方法,首先,将微纳结构制备在平面衬底上,再将平面衬底上的微纳结构复制到弹性体薄膜上,并在弹性体薄膜上制作气道,得到带有微纳结构的弹性体薄膜;然后,将弹性体薄膜制作成球状的弹性体模具;其次,将弹性体模具浸泡在压印胶里,使压印胶黏附在弹性体模具上,再将弹性体模具放入物体内腔,并用控制器控制充气装置给弹性体模具及其气道充气使弹性体模具逐渐膨胀,随形均匀与腔体内壁接触;最后,固化压印胶,排除弹性体模具内的气体并将其从物体内腔取出,即得到内表面有微纳结构图案的物体;本发明具有制备工艺简单、成本低、模具自适应腔体内壁形状等优点。
发明专利 CN201710702619.0
摘要:本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法,在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔,然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层;去除硅电极层表面的二氧化硅保护层,在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体;在敏感结构腔体内加工出电极结构;采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上;去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层;在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构;将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上;采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽;芯片倒置,将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面,使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接,最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势,易于实现。
发明专利 CN201710703101.9
摘要:本发明公开了一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法,在晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体,在敏感结构腔体内加工出电极结构;采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A上的硅电极层上;去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层;在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构;将硅帽键合到晶圆片B上的敏感结构上;从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层,暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层,采用溅射的方式加工出金属焊盘,形成MEMS裸芯片;采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽;芯片倒置,将硅帽固定到陶瓷管壳腔体底面,再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接,最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势,易于实现。
发明专利 CN201710695756.6
薛宁 2017-08-15
摘要:本发明公开了一种基于多孔硅和聚合物的神经电极及其制作工艺和应用,属于电学传感器技术领域。该神经电极包括衬底层和衬底层上面的结构层,所述结构层为柔性聚合物‑电极材料层‑柔性聚合物的三明治结构,其中:所述衬底层是由多孔硅衬底和硅衬底组成;所述结构层的上表面分别设有电极触点Ⅰ和电极触点Ⅱ;电极触点Ⅰ用于脑信号记录触点,电极触点Ⅱ与外引线键合后与脑外部神经信号采集装置相连接。该神经电极用于脑神经信号的监测,多孔硅部分插入脑组织后,在脑组织的弱碱性环境中,多孔硅生成可溶性物质。该神经电极具有体积小、多通道、低功耗、成本低、性能稳定性强等特点。
发明专利 CN201710680145.4
摘要:本发明涉及一种生物结合性纯钛表面微凸起阵列结构的制备方法,为了提高纯钛表面的生物结合性,本发明在难以用微铣加工的纯钛表面实现了微凸起阵列结构的加工,使用一种新的电化学刻蚀方法,高效地在曲面钛表面加工出表面微纳米结构,微凸起阵列的尺寸范围可以很大,每个凸起大小为100‑300μm,高度最大达到140μm,微凸起阵列的尺寸精度不高,在微凸起之间存在更小尺度微纳米粗糙表面结构,有益于生物细胞与钛金属植入体间生物结合性的增强,本发明在无热影响的基础上,能够高效地在晶粒细化的曲面纯钛表面加工出微米结构的凸起阵列结构,达到增强生物结合性和细胞黏附性的目的。
发明专利 CN201710670631.8
摘要:本发明一种纳米马达及其制备方法,简化了制备工艺,可通过磁场进行驱动。纳米马达为两个粘结在一起的球体,球体的半个球面上蒸镀有粘附层金属和磁性金属,粘附层金属位于球体和磁性金属之间,所述纳米马达的直径为500nm~40μm。制备方法包括:将球体铺展在洁净的玻璃板上,形成单层膜球体;在单层膜球体上蒸镀粘附层金属;在粘附层金属上继续蒸镀磁性金属;蒸镀完成后,将玻璃板置于含有去离子水的培养皿中,并移置超声波环境中超声数分钟,得到半包覆的磁性球体;用容器吸取含有半包覆的磁性球体的悬浮液,并向悬浮液施加振荡磁场,单个磁性球体在磁场作用下会组装成由两个单个磁性球体粘结在一起的纳米马达。
发明专利 CN201710671639.6
清华大学 2017-08-08
摘要:本发明公开了一种微纳米结构可控的铜基超疏水表面及其制备方法和应用。所述铜基超疏水表面包括微米结构阵列和纳米线;其中,所述微米结构阵列的中心间距在10~500μm,高度在5~500μm;所述纳米线直径为40~200nm,长度2~50μm,平均间距0.1~3μm;所述纳米线平行于铜基超疏水表面局部法线方向生长,成分为氧化铜。所述铜基超疏水表面可实现水蒸汽冷凝的液滴弹跳换热,也可促进经典滴状凝结,进而强化换热。此外,还可用于自清洁、抗腐蚀、防冰抑霜等领域。
发明专利 CN201710667043.9
摘要:本发明公开一种硅片与蓝宝石片直接键合的方法,包括以下步骤:1)准备抛光后的硅片和蓝宝石片,在所述硅片的单面或者双面蚀刻应力释放槽;2)对所述硅片上具有应力释放槽的面进行等离子体活化处理,对所述蓝宝石片的单面进行等离子体活化处理;3)将所述硅片上经过等离子体活化处理的面与所述蓝宝石片上经过等离子体活化处理的面相对贴合进行预键合;4)将预键合后的硅片和蓝宝石片进行退火处理,使硅片和蓝宝石片完全键合。本发明在所述硅片上蚀刻应力释放槽,在退火温度较高的情况下,能够使热应力在应力释放槽处相对集中释放,使硅片沿着应力释放槽开裂,从而防止硅片无规则碎裂,提高了键合质量,便于在键合后的硅片上制作电子器件。
发明专利 CN201710648106.6
深圳大学 2017-08-01
摘要:本发明公开了一种可实现Fano共振的多波长可调型纳米传感器,包括基底和排布在所述基底上的纳米结构,所述纳米结构包括:腔体及位于腔体两侧相对设置的输入波导和输出波导;位于腔体内的双重纳米环,双重纳米环包括同心分布的外纳米环和内纳米环,外纳米环和内纳米环分别包括至少两个对称分布的劈裂口;以及位于双重纳米环中心的纳米条,所述纳米条的任意一条边相对于电磁波信号输入/输出的方向的纵向方向的角度可调,从而得到不同透射率的传感器。本发明利用金属表面等离激元效应原理设计的可实现Fano共振的多波长可调型纳米传感器,结构简单、制作方便、灵敏度高、调节范围广,适用于化学、医疗、环境等领域的检测和监控。
发明专利 CN201710627162.1
摘要:本发明提供一种MEMS电喷雾推力器阵列结构及实现方法,包括:101、对硅片进行深硅刻蚀和湿法腐蚀得到安装基座(1);102、对多孔材料采用电化学腐蚀得到发射极(2);103、将发射极(2)键合在安装基座(1)上;104、通过硅‑玻璃‑硅阳极键合及玻璃腐蚀、深硅刻蚀得到定位及绝缘层(3);105、通过环氧树脂将定位及绝缘层(3)键合连接在安装基座(1)的四个角;106、对硅片进行深硅刻蚀和湿法腐蚀得到电极安装框架(4),并通过环氧树脂将所述电极安装框架(4)与所述定位及绝缘层(3)键合;107、利用在硅基材料金属溅射及电镀得到抽取极(5)和加速极(6);108、通过储箱(7)上的凸台,将存储推进剂的储箱(7)与发射极(2)连接。
发明专利 CN201710633123.2
摘要:一种高精度MEMS角度传感器敏感结构及加工方法,该敏感结构包括上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板,及金丝引线;上玻璃极板和下玻璃极板上淀积有金属电极区域和介质膜区域形成电容的上极板和下极板;中间硅极板由两根悬臂梁连接一个方形质量块形成电容的中间极板;上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板采用双电场静电键合方式形成“三明治”式敏感结构,再用金丝球焊机压焊金丝引出电容信号。本发明采用对称电容结构形式,采用湿法体硅加工方法,可以获得较大的质量块,提高角度分辨率和测量精度,可广泛应用于无人机、舰载设备、卫星通讯、工程机械、铁塔智能监测、太阳能追踪系统等平台的倾斜角度测量。
发明专利 CN201710613928.0
清华大学 2017-07-25
摘要:本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括:所述薄膜电极阵列采用直线型结构,薄膜平面内电极形状为圆形,垂直于平面方向电极具有凸起形状;薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计,其中,电极中心间距≥150μm,每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术,提升了电极阵列的电极密度,降低了手工加工的加工成本。
发明专利 CN201710574943.9
华中科技大学 2017-07-14
摘要:本发明属于微纳制造工艺相关领域,并提供了一种3D微纳结构的制作方法,该方法包括:将被加工材料薄膜放置在模具上,模具根据根据材料的脱模性能决定是否涂覆脱模剂,在被加工材料薄膜上方放置用于发生自蔓延反应的自蔓延多层膜,向自蔓延多层膜自上至下的结构施加0.1MPa~20MPa的压力,点燃自蔓延多层膜,由此方式以点燃后的自蔓延多层膜作为热量与冲击力的来源,将所述模具上的图形转移到所述被加工材料薄膜上。按照本方法,不仅可有效避免微纳制造复杂的加工工序,具有方法灵活、成本低廉的特点,同时操作简便,条件温和,对环境要求低,可实现批量生产。
发明专利 CN201710570485.1
摘要:本发明一种用于SIP三维集成的封装载体,包括管壳、基板、金属盖板,所述基板设置于所述管壳上,并且在所述基板和所述管壳之间形成用于容纳芯片的空腔,所述管壳、基板均采用非导电材料,并且所述管壳和基板之间的电信号相互连通,所述金属盖板放置于所述管壳上并且所述金属盖板位于所述基板外侧,所述金属盖板和所述管壳之间相互密封。本发明用于SIP三维集成的封装载体实现了带空腔的3D封装,并且基板和管壳可分别组装、分开测试,分开测试标定好后再组合成一个系统整体,提高了系统的成品率,降低成本。
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