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二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜及其制备方法
摘要: 本公开提供一种二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜及其制备方法,其中该二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜的制备方法包括:提供一基底,基底表面为钛层;阳极氧化处理基底,以使钛层表面生长二氧化钛纳米管阵列层;于二氧化钛纳米管阵列层上物理气相沉积吸气剂合金层,得到二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜。该方法通过在基底表面沉积吸气剂合金层之前先生长二氧化钛纳米管阵列层,以构建出高比表面积的微结...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201911205339.4
  • 申请日期:
    2019-11-29
  • 公开/公告号:
    CN110863228A
  • 公开/公告日:
    2020-03-06
  • 主分类号:
    C25D11/26(2006.01)  C  C25  C25D  C25D11 
  • 分类号:
    [C25D11/26(2006.01), C23C14/14(2006.01), C23C28/00(2006.01), B82Y40/00(2011.01), B82Y30/00(2011.01), C25D11/26, C23C14/14, C23C28/00, B82Y40/00, B82Y30/00]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    528478 广东省中山市横栏镇环镇北路27号
  • 专利代理机构:
    北京律智知识产权代理有限公司
  • 代理人:
    司丽琦%于宝庆
  • 国别省市代码:
    广东;44
  • 主权项:
    1.一种二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜的制备方法,其特征在于,包括: 提供一基底,所述基底表面为钛层; 阳极氧化处理所述基底,以使所述钛层表面生长二氧化钛纳米管阵列层; 于所述二氧化钛纳米管阵列层上物理气相沉积吸气剂合金层,得到所述二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜。 2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述阳极氧化处理中,电解液为氢氟酸水溶液,所述氢氟酸水溶液的质量百分浓度为0.4%~0.5%,采用的阴极为铂,电压为20V~60V的直流电压,氧化时间为40min~60min。 3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用磁控溅射法和/或真空蒸发镀膜法沉积所述吸气剂合金层,所述磁控溅射法选自直流磁控溅射法、高功率脉冲磁控溅射法、中频磁控溅射法、射频磁控溅射法和反应磁控溅射法中的一种或多种,所述真空蒸发镀膜法选自电阻式蒸发镀膜法、电子枪蒸发镀膜法、多弧离子镀膜法和离子束蒸发镀膜法中的一种或多种。 4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述吸气剂合金层包括第一吸气剂合金层和第二吸气剂合金层,所述物理气相沉积包括: 采用磁控溅射法于所述二氧化钛纳米管阵列层上沉积第一吸气剂合金层; 采用真空蒸发镀膜法于所述第一吸气剂合金层上沉积第二吸气剂合金层。 5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射中,电源功率不超过30kW,所述基底温度不超过200℃,溅射气体为惰性气体,溅射气压为0.4Pa~1.0Pa;所述真空蒸发镀膜中,真空腔体的本底气压低于5.0×10-3Pa。 6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述吸气剂合金选自钛、锆、钒、铁、钼、铼、铈、镧、铝、铜、铪和钴中的一种或多种,所述基底选自钛、硅、锗、不锈钢和玻璃中的一种或多种。 7.一种采用权利要求1~6中任一项所述的方法制备的二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜,其特征在于,包括: 基底,所述基底表面为钛层; 二氧化钛纳米管阵列层,位于所述钛层上,所述二氧化钛纳米管阵列层包括多个中空的二氧化钛纳米管; 吸气剂合金层,位于所述多个二氧化钛纳米管的内表面。 8.根据权利要求7所述的二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜,其特征在于,所述二氧化钛纳米管的管径为20nm~120nm,管壁厚度10nm~50nm,管长在0.4μm~2μm之间;所述二氧化钛纳米管阵列层的比表面积大于200m2/g。 9.根据权利要求7所述的二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜,其特征在于,所述吸气剂合金层的厚度不超过1μm。 10.根据权利要求7所述的二氧化钛纳米管基吸气剂薄膜,其特征在于,所述吸气剂合金层包括第一吸气剂合金层和第二吸气剂合金层,其中所述第一吸气剂合金层的厚度不超过所述二氧化钛纳米管的管半径,所述第二吸气剂合金层的厚度为0.5μm~1μm。
  • 法律状态:
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